[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，其包括发光层和电流阻挡层，其特征在于：所述发光元件所具有的结构是：在所述发光层上依次层叠有蚀刻停止层和埋入结构的电流阻挡层；

所述蚀刻停止层的组成为：

Al_xGa_yIn_1-x-yP，其中，0≤x≤0.1、0≤y≤1、且0≤x+y≤1，或In_yGa_1-yP，其中，0＜y＜1；

所述电流阻挡层的组成为：

Al_xGa_yIn_1-x-yP，其中，0.3≤x≤1、0≤y≤1、且0≤x+y≤1；

所述电流阻挡层的至少一部分的氧浓度高于所述发光层中的氧浓度，并且所述电流阻挡层的厚度为5nm～100nm。

2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述电流阻挡层的至少一部分的氧浓度为1×10²⁰个/cm³以上。

3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，在所述蚀刻停止层内，所述电流阻挡层的开口部表面的氧浓度为1×10¹⁹个/cm³以下。

4.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述电流阻挡层的氧浓度为所述电流阻挡层的开口部表面的蚀刻停止层的氧浓度的至少100倍以上。

5.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述电流阻挡层的氧浓度为所述电流阻挡层的开口部表面的蚀刻停止层的氧浓度的至少100倍以上。

6.如权利要求1～5的任一项所述的发光元件，其特征在于，所述发光元件还具有谐振器结构。

7.一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括下述工序：

将具有耐氧化性的蚀刻停止层和电流阻挡层进行层叠的第1工序，

对所述电流阻挡层进行局部蚀刻的第2工序；其中，

在所述第1工序中，将所述蚀刻停止层设定为：

Al_xGa_yIn_1-x-yP，其中，0≤x≤0.1、0≤y≤1、且0≤x+y≤1，或In_yGa_1-yP，其中，0＜y＜1，

将所述电流阻挡层设定为：

Al_xGa_yIn_1-x-yP，其中，0.3≤x≤1、0≤y≤1、且0≤x+y≤1；

在所述第2工序中提高所述电流阻挡层的一部分的氧浓度，还具有将所述电流阻挡层埋入发光元件的工序。

8.如权利要求7所述的发光元件的制造方法，其特征在于，使所述电流阻挡层的至少一部分的氧浓度为1×10²⁰个/cm³以上。