[发明专利]微电子互连基底和封装技术

权利要求书

1、一种互联基底上的电子元件组件，包括：

安装到所述互联基底的顶面的电子元件；以及

所述电子元件和所述基底的底面之间的直接金属热路径；

2、如权利要求1所述的组件，其中所述电子元件包括LED，并且还包括：

所述基底上的用于操作所述LED的驱动模块。

3、如权利要求1所述的组件，其中：

所述基底是阀金属基底，其已被阳极氧化以限定至少一个电隔离的导电区域，所述导电区域从所述基底第一表面到其第二表面完全延伸通过所述基底；

并且所述至少一个电隔离的导电区域包括所述电子元件和所述基底的所述底面之间的所述直接的金属热路径。

4、如权利要求1所述的组件，其中：

所述电隔离的导电区域由延伸通过所述基底的垂直隔离结构限定。

5、如权利要求1所述的组件，其中：

所述隔离结构具有圆形形状。

6、如权利要求1所述的组件，其中：

所述隔离结构为环形形式。

7、如权利要求1所述的组件，其中：

所述基底是阀金属基底，其已被阳极氧化以限定至少一个电隔离的导电区域，所述导电区域从所述基底第一表面到其第二表面完全延伸通过所述基底；

所述隔离结构限定并围绕、及电隔离所述电隔离的导电区域。

8、如权利要求1所述的组件，其中：

所述电隔离的导电区域由延伸通过所述基底的垂直隔离结构限定；以及

还包括：

水平隔离区域，侧向地延伸越过所述基底的顶面，从所述垂直隔离结构的一侧朝向垂直隔离环的相对侧。

9、如权利要求1所述的组件，其中：

所述电隔离的导电区域由延伸通过所述基底的垂直隔离结构限定；以及

还包括：

水平隔离区域，侧向地延伸越过所述基底的顶面，从所述垂直隔离结构的一侧朝向垂直隔离环的相对侧。

10、如权利要求1所述的组件，其中：

所述电隔离的导电区域由延伸通过所述基底的垂直隔离结构限定；以及

还包括：

水平隔离区域，侧向地延伸越过所述基底的顶面，从所述垂直隔离结构的一侧朝向垂直隔离环的相对侧；以及

第二水平隔离区域，侧向地延伸越过所述基底的底面，从所述垂直隔离结构的一侧朝向所述垂直隔离环的相对侧。

11、如权利要求1所述的组件，还包括：

在所述基底的所述顶面上的涂敷金属。

12、如权利要求1所述的组件，还包括：

在所述基底的所述底面上的涂敷金属。

13、如权利要求1所述的组件，还包括：

所述基底的所述顶面上的第一涂敷金属；以及

所述基底的所述底面上的第二涂敷金属。

14、如权利要求13所述的组件，其中：

所述第一和第二涂敷金属的至少一个完全延伸越过所述电隔离的导电区域。

15、如权利要求13所述的组件，其中：

所述第二涂敷金属比所述第一涂敷金属厚。

16、一种互联基底包括：

铝基底，被选择性地阳极氧化以形成彼此由隔离区域电隔离的导电区域；以及

至少一个导电区域由至少一个隔离区域完全围住在所述基底内。

17、一种用于安装电子元件在互联基底上的方法，包括：

提供阀金属基底；

选择性地阳极氧化所述基底以限定至少一个电隔离的导电区域，所述导电区域从所述基底第一表面到其第二表面完全延伸通过所述基底；

在所述基底的所述第一表面中形成腔；

其中，所述至少一个电隔离的导电区域位于所述腔内；以及

在所述腔中安装电子元件。

18、如权利要求17所述的方法，其中：

所述阀金属是铝。

19、如权利要求17所述的方法，其中：

所述电子元件是LED。