[发明专利]选择性蚀刻栅极隔片氧化物材料的组合物和方法

权利要求书

1.一种栅极隔片氧化物材料去除组合物，包括至少一种有机溶剂、至少一种螯合剂、和比率为约1∶1至约10∶1的碱氟化物∶酸氟化物组分，其中所述去除组合物基本上不含水，并且其中相对于多晶硅和氮化硅两者，所述去除组合物适合从其上具有栅极隔片氧化物材料、多晶硅和氮化硅的微电子器件上选择性除去栅极隔片氧化物材料。

2.权利要求1的去除组合物，其中有机溶剂相对于碱氟化物∶酸氟化物组分的摩尔比范围为约1∶1至约30∶1。

3.权利要求1的去除组合物，其中有机溶剂相对于螯合剂的摩尔比范围为约1∶1至约30∶1。

4.权利要求1的去除组合物，其中所述至少一种有机溶剂包括选自下列的物质：酮、醚、胺、酰胺、含硫溶剂、醇、二醇、聚二醇及其组合。

5.权利要求1的去除组合物，其中所述至少一种有机溶剂包括选自下列的化合物：丙酮、2-丁酮、2-戊酮、3-戊酮、四氟呋喃、一乙醇胺、三乙醇胺、三亚乙基二胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、五甲基二亚乙基三胺、二甲基二甘醇胺、1，8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯、氨基丙基吗啉、羟乙基吗啉、氨基乙基吗啉、羟丙基吗啉、二甘醇胺、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N-辛基吡咯烷酮、N-苯基吡咯烷酮、环己基吡咯烷酮、乙烯基吡咯烷酮、甲酰胺、二甲基甲酰胺、乙酰胺、二甲基乙酰胺、四亚甲基砜、二甲亚砜、乙醇、丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇(1，2-丙二醇)、新戊二醇、苄基二乙二醇(BzDG)、二乙二醇和高级聚乙二醇、二丙二醇和高级聚丙二醇、二醇醚、聚二醇醚、甘油及其组合。

6.权利要求1的去除组合物，其中所述至少一种有机溶剂包括乙二醇。

7.权利要求1的去除组合物，其中所述至少一种螯合剂包括选自下列的化合物：丁基卡必醇、聚乙烯醚(PEG)、二乙二醇一甲醚、三乙二醇一甲醚、二乙二醇一乙醚、三乙二醇一乙醚、乙二醇一丙醚、乙二醇一丁醚、二乙二醇一丁醚、三乙二醇一丁醚、乙二醇一己醚、二乙二醇一己醚、乙二醇苯醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚(TPGME)、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚(DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚(DPGBE)、三丙二醇正丁醚、丙二醇苯醚(苯氧基-2-丙醇)及其组合。

8.权利要求1的去除组合物，其中所述至少一种螯合剂包括选自下列的二醇醚：三丙二醇甲醚(TPGME)、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚(DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚(DPGBE)及其组合。

9.权利要求1的去除组合物，其中所述至少一种螯合剂包括DPGBE。

10.权利要求1的去除组合物，还包括至少一种钝化剂，其中所述至少一种钝化剂包括选自下列的物质：三唑、噻唑、四唑、咪唑、磷酸酯、二醇、吖嗪、甘油、氨基酸、羧酸、醇、酰胺、喹啉及其组合。