[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：

在半导体衬底的顶部上形成缓冲层；

在所述缓冲层上应用无机光致抗蚀剂，并且使用光刻工艺形成光致抗蚀 剂图案；

用预定气体来热处理所述光致抗蚀剂图案；

在热处理后的结构上均匀沉积第一绝缘层，并且将所沉积的第一绝缘层 蚀刻所沉积的厚度以便露出热处理后的光致抗蚀剂图案，从而形成侧壁间隔 物；

在蚀刻后的结构上沉积第二绝缘层，并且蚀刻所沉积的第二绝缘层以露 出热处理后的光致抗蚀剂图案且在所述侧壁间隔物的侧壁上保留部分所述 第二绝缘层；

使用蚀刻工艺去除所露出的光致抗蚀剂图案；

在所述光致抗蚀剂图案被去除的部分形成栅极氧化层；以及

在所述栅极氧化层上形成栅电极。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底是绝缘体上硅衬底 或者化合物衬底。

3.如权利要求1所述的方法，其中用光刻工艺形成图案的步骤使用光 束、电子束或者离子束。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

修整所述光致抗蚀剂图案以减小所述光致抗蚀剂图案的线宽。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述修整步骤是通过使用CF4或CHF3 气体的干法蚀刻工艺来进行，或通过使用氢氟酸的湿法蚀刻工艺来进行。

6.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中所述预定气体是O2 气体。

7.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中所述热处理是通过 快速热退火工艺来进行或者在熔炉中进行。

8.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中所述光致抗蚀剂图 案通过所述热处理被硬化。

9.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其中蚀刻所露出的光致 抗蚀剂图案的步骤包括如下步骤：通过蚀刻将热处理的光致抗蚀剂图案下的 缓冲层一起去除。