[发明专利]辐射系统和光刻设备无效
申请号: | 200680045796.6 | 申请日: | 2006-12-05 |
公开(公告)号: | CN101322078A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 德尔克·简·威尔弗雷德·克朗德尔;马丁·玛瑞纳斯·约翰内斯·威尔赫尔姆斯·范荷彭 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辐射 系统 光刻 设备 | ||
1.一种用于提供投影辐射束的辐射系统,所述辐射系统包括:
极紫外辐射源,所述极紫外辐射源用于提供极紫外辐射;以及
污染物阻挡件,所述污染物阻挡件包括多个紧密排布的箔片板,用于俘获来自所述辐射源的污染物材料,所述污染物阻挡件包围所述极紫外辐射源。
2.根据权利要求1所述的辐射系统,其中所述污染物阻挡件是能够相对于所述源转动的。
3.根据权利要求2所述的辐射系统,还包括用于使所述极紫外辐射源免受所述污染物阻挡件影响的屏蔽件,所述屏蔽件部分地包围所述极紫外辐射源。
4.根据权利要求3所述的辐射系统,其中所述屏蔽件设置有被包含在所述屏蔽件中的冷却导管。
5.根据权利要求3所述的辐射系统,还包括净化气体出口,所述净化气体出口用于将净化气体提供到由所述箔片板所限定的空间中,通过所述屏蔽件使所述净化气体出口与所述源之间屏蔽。
6.根据权利要求5所述的辐射系统,其中所述净化气体选自由氢基、氘基和卤族气体构成的组。
7.根据权利要求2所述的辐射系统,还包括外壳,所述外壳部分地包围所述污染物阻挡件,并包括用于连接到泵的连接器,所述阻挡件能够在所述外壳中转动。
8.根据权利要求1所述的辐射系统,其中所述源位于通过所述多个箔片板的延伸平面的相交位置上。
9.根据权利要求1所述的辐射系统,其中所述源位于所述污染物阻挡件的中心轴线上。
10.根据权利要求1所述的辐射系统,其中所述箔片板形成具有基本为矩形的形状,并根据圆柱形状被安装。
11.根据权利要求1所述的辐射系统,其中所述箔片板形成具有弧形的形状,并根据球形被安装。
12.根据权利要求1所述的辐射系统,其中所述箔片板位于相对的固定件之间,至少一个所述固定件是环形形状的。
13.根据权利要求1所述的辐射系统,还包括缓冲气体出口,所述缓冲气体出口用于提供在所述箔片板之间的缓冲气体。
14.根据权利要求1所述的辐射系统,其中所述极紫外辐射源是激光诱导等离子体源或放电等离子体源。
15.根据权利要求1所述的辐射系统,其中所述极紫外辐射源包括锡、锂或氙。
16.根据权利要求1所述的辐射系统,其中所述箔片板的尺寸在以下的优选范围内:
2.51<(Rmax/r0)<55.7
针对在90和270度之间的范围内的、碎屑颗粒20的拾取和剥离之间的所需的最小旋转角;其中Rmax是在剥离时的碎屑颗粒的最大径向距离,而r0是所述颗粒的最小径向距离。
17.根据权利要求16所述的辐射系统,其中所述箔片板的尺寸在以下的优选范围内:
2.51<(Rmax/r0)<6.0
针对在0.8到1.0的范围内的归一化摩擦常数。
18.根据权利要求1所述的辐射系统,其中,对于锡源,所述箔片板由表面能低于3352dyne/cm的材料制成。
19.根据权利要求18所述的辐射系统,其中所述材料选自由银、铝、金、铬、铜、铁、镍和铂构成的组中。
20.一种光刻设备,所述光刻设备包括:
用于提供辐射束的辐射系统,所述辐射系统包括:极紫外辐射源,所述极紫外辐射源用于提供极紫外辐射;以及污染物阻挡件,所述污染物阻挡件包括多个紧密排布的箔片板,用于捕获来自所述辐射源的污染物材料,所述污染物阻挡件包围所述极紫外辐射源,
图案形成装置,所述图案形成装置用于图案化所述辐射束;以及
投影系统,所述投影系统用于将图案化的辐射束投影到衬底上。
21.根据权利要求20所述的光刻设备,其中所述污染物阻挡件能够相对于所述源转动。
22.根据权利要求21所述的光刻设备,其中所述辐射系统还包括用于使所述极紫外辐射源免受所述污染物阻挡件影响的屏蔽件,所述屏蔽件部分地包围所述极紫外辐射源。
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