[发明专利]用于组装顶部与底部暴露的封装半导体的装置和方法

权利要求书

1.一种封装半导体装置的方法，其包括以下步骤：

(a)提供第一引线框，其具有电隔离的第一和第二引线；

(b)将具有可软焊的连接件的半导体装置附接到所述第一引线框；

(c)将第二引线框放置在所述晶片和所述第一引线框上，所述第二引线框具有延伸腿，所述延伸腿位于所述第二引线框的相对侧上，且从所述第二引线框的顶部朝所述第一引线框向下延伸，并在与所述第二引线框的所述顶部平行的两个凸缘中终止，使得所述凸缘的底部与所述第一引线框的底部共面；

(d)将所述第二引线框的所述顶部的下侧焊接到所述半导体装置；以及

(e)在所述第一和第二引线框以及所述晶片上以包封材料模制，同时使所述第二引线框的所述顶部、所述凸缘的所述底部以及所述第一引线框的所述底部保持暴露。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一引线框包括铜。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述可软焊的连接件包括多个导电凸块。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述导电凸块包括可软焊的材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在放置所述第二引线框之前将焊锡膏施加到所述半导体装置，且在所述第二引线框处于适当的位置之后执行回焊操作。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二引线框包括铜。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二引线框确定所述个别封装装置的总体高度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中模制步骤包括施加非导电聚合物包封材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述非导电聚合物包封材料是环氧树脂。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第二引线框中所述第二引线框将形成内部弯曲的位置处形成凹槽。

11.一种封装半导体装置，其包括：

(a)第一引线框，其具有电隔离的第一和第二引线；

(b)具有可软焊的连接件的半导体装置，其附接到所述第一引线框；以及

(c)第二引线框，其焊接到所述晶片，且位于所述半导体装置和所述第一引线框上，所述第二引线框具有延伸腿，所述延伸腿位于所述第二引线框的相对侧上，且从所述第二引线框的顶部朝所述第一引线框向下延伸，并在与所述第二引线框的所述顶部平行的两个凸缘中终止，使得所述凸缘的底部与所述第一引线框的底部共面。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述晶片以及所述第一和第二引线框的部分与模制化合物接触。

13.根据权利要求11所述的装置，其中所述可软焊的连接件包括多个导电凸块。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述导电凸块包括可软焊的材料。

15.根据权利要求11所述的装置，其中所述第二引线框包括铜。

16.根据权利要求11所述的装置，其中所述第二引线框确定所述个别封装装置的总体高度。

17.根据权利要求12所述的装置，其中所述模制化合物包括非导电聚合物包封材料。

18.根据权利要求17所述的装置，其中所述非导电聚合物包封材料是环氧树脂。

19.根据权利要求11所述的装置，其中所述第二引线框的内部弯曲含有凹槽。

20.一种封装半导体装置，其包括：

(a)功率MOSFET半导体装置，其在一个表面上具有漏极端子，且在相对表面上具有源极和栅极端子；

(b)下引线框，其具有暴露的电隔离的源极和栅极焊接区；

(c)上引线框，其具有上表面和腿，所述腿从散热片朝所述下引线框延伸，且在平行于所述上表面的凸缘中终止，所述凸缘的底部与所述下引线框的底部共面；以及

(d)包封材料，其用于保护晶片，且经配置以使所述上引线框的所述上表面和下表面以及所述第一引线框的底部暴露。

21.根据权利要求20所述的封装半导体装置，其中所述上引线框与所述半导体装置的所述漏极端子电接触且热接触。

22.根据权利要求20所述的封装半导体装置，其中所述腿安置在所述上和下引线框的相对侧上。