[发明专利]减少非易失性存储装置的读取干扰

权利要求书

1.一种用于从非易失性存储器进行读取的方法，其包含：

为一群非易失性存储元件设置读取条件；

在设置所述读取条件的同时防止所述非易失性存储元件升压，其中设置读取条件 包括将通过电压施加到所述非易失性存储元件的至少一子集，且防止升压包括在设 置所述读取条件之前接通所述非易失性存储元件的第一选择栅极和第二选择栅极， 以及在设置所述读取条件之后但在感测数据之前断开所述第一选择栅极；以及

通过在所述读取条件期间感测与所述非易失性存储元件相关联的电荷的消散而 确定用于所述非易失性存储元件中的至少一者的数据，其中确定数据包括在所述断 开所述第一选择栅极之后将所述电荷施加到所述非易失性存储元件，在施加所述电 荷之后接通所述第一选择栅极，以及感测所述电荷是否有改变。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述非易失性存储元件具有浮动栅极；

所述非易失性存储元件是NAND串的一部分，所述NAND串具有所述第一选择 栅极和所述第二选择栅极；

所述设置读取条件包括接通所述NAND串的所述第一选择栅极和所述第二选择 栅极，以及在所述第一选择栅极和所述第二选择栅极接通时将通过电压施加到非易 失性存储元件的至少一子集；且

由感测放大器对所述NAND串执行所述感测。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述非易失性存储元件是NAND串的一部分，所述NAND串具有所述第一选择 栅极和所述第二选择栅极；

所述第一选择栅极是源极侧选择栅极；

所述设置读取条件包括在漏极侧选择栅极接通时将通过电压施加到所述NAND 串的字线的子集，所述漏极侧选择栅极是所述第二选择栅极；

所述电荷提供于所述NAND串的位线上；且

所述感测包括使用感测放大器来确定所述位线上的所述电荷是否消散。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述非易失性存储元件是NAND快闪存储器装置。

5.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述非易失性存储元件是多状态快闪存储器装置。

6.一种用于从非易失性存储器进行读取的方法，其包含：

为一群非易失性存储元件设置读取条件；

在设置所述读取条件的同时防止所述非易失性存储元件升压，其中设置读取条件 包括将读取通过电压施加到所述非易失性存储元件的至少一子集，且防止升压包括 在将所述读取通过电压施加到非易失性存储元件的所述子集的同时施加所述读取 通过电压作为用于选定非易失性存储元件的控制栅极电压，以及随后使用于所述选 定非易失性存储元件的所述控制栅极电压从所述读取通过电压降低到读取比较电 压；以及

通过在所述读取条件期间感测与所述非易失性存储元件相关联的电荷的消散而 确定用于所述非易失性存储元件中的至少一者的数据。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

所述非易失性存储元件是NAND串的一部分；

所述设置读取条件包括接通所述NAND串的选择栅极；

所述电荷提供于所述NAND串的位线上；且

由感测放大器对所述NAND串执行所述感测。