[发明专利]用于有机薄膜晶体管的材料无效
申请号: | 200680046142.5 | 申请日: | 2006-12-07 |
公开(公告)号: | CN101326652A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 支志明 | 申请(专利权)人: | 香港大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L29/786;C09K11/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 庞立志;韦欣华 |
地址: | 中国香港*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 有机 薄膜晶体管 材料 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求美国临时专利申请No.60/742893(申请日2005年12月7日)的权益,其全部内容在此引入作为参考。
技术领域
本发明涉及有机薄膜晶体管(OTFT),其包含作为电荷传输材料的至少一种喹吖啶酮(quinacridone)衍生物。所公开的喹吖啶酮衍生物在OTFT中表现出空穴传输性能。本发明进一步涉及应用于电子学方面包括平板显示器、光电装置和传感器的喹吖啶酮衍生物基OTFT。
参考文献
几种出版物在此作为参考。全部所引用的这些出版物在下面给出。这些出版物所公开的内容以其全部引入作为参考。
发明背景
因为它们的低制造成本、与玻璃和塑料基板高相容性、大面积的覆盖和简单的制造方法,因此有机薄膜晶体管(OTFT)已经用作常规的硅基TFT的备选物(参见Horowitz,Adv.Mater.,10:365(1998))。OTFT可以用作柔性显示器(参见Sheraw等人,Appl.Phys.Lett.,80:1088(2002));传感器(参见Bartic等人,Appl.Phys.Lett.,82:475(2003));和存储器装置(参见Chabinyc等人,Chem.Mater.,16:4509(2004))。已经发现存在有几种稳定的、便宜的有机半导体,其对于OTFT应用是有用的。
OTFT已经取得了相当大的进展,特别是集中在发展π-共轭的有机半导体上(参见Inoue等人,J.Appl.Phys.,95:5795(2004);Sheraw等人,Adv.Mater.,15:2009(2003);Yan等人,Adv.Mater.,17:1191(2005))。含有刚性和稠环结构的π-共轭的有机材料是非常令人感兴趣的,其中可以实现在邻近的分子之间强的π-π相互作用。
已经进行了与作为用于OTFT的有机半导体的p-型并五苯(pentacene)和它的衍生物相关的研究(参见US 6,284,562;US 6,734,038B2;US 6,869,821 B2;Meng等人,J.Am.Chem.Soc.,127:2406(2005);Anthony等人,J.Am.Chem.Soc.,127:4986(2005))。但是,由于其在常规有机溶剂中的差的溶解性,因此这种材料的结构难以改变。
低聚噻吩(参见Katz等人,Chem.Mater.,7:2235(1995))和噻吩衍生物(参见Yang等人,Adv.Funct.Mater.,15:671(2005);Gamier等人,J.Am.Chem.Soc.,115:8716(1993))是另外一种p-型有机半导体。已经证明通过将长烷基链连接到噻吩环上,提高了所述装置的性能(参见Katz等人,Chem.Mater.,10:633(1998))。芳基乙炔型p-型OTFT同样也得以证实(参见Che等人,Adv.Mater.,17:1258(2005))。通过将给电子体/受电子体基团引入到π-共轭的芳基乙炔低聚物,获得了0.3cm2V-1s-1的电荷载体迁移率和延长的装置稳定性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于香港大学,未经香港大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680046142.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:层叠型压电元件及其制造方法
- 下一篇:一种纺锤形纳米ZnO单晶的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择