[发明专利]发射红光的发光材料和含有这类发光材料的光源

权利要求书

1.一种发射红光的来自氧氮化物硅酸盐类的发光材料，所述发光 材料具有EA₃Si₂O₄N₂:D结构，其特征在于，所述发光材料包含组分EA ＝Sr，Ba和/或Ca，单独或组合地，其中替代部分EA的活性掺杂D由Eu 构成。

2.根据权利要求1的发光材料，其特征在于，在EA₃Si₂O₄N₂:D为 (Sr_1-x-y-zBa_yCa_xEu_z)₃Si₂O₄N₂的表达方式中，Eu的比例为z＝0.01至0.10。

3.根据权利要求1的发光材料，其特征在于，单独地EA＝Sr。

4.根据权利要求1的发光材料，其特征在于，单独地EA＝Ca。

5.一种具有初级辐射源的光源，其发射在光谱范围的短波范围内 在250至480nm的波长范围的辐射，其中所述辐射借助于根据前述权 利要求中任一项的发光材料完全或部分转换成在可见光谱范围的次级 更长波长的辐射。

6.根据权利要求5的光源，其特征在于，作为初级辐射源使用基 于InGaN或InGaAlP的发光二极管，或者基于低压或高压的放电灯。

7.根据权利要求5的光源，其特征在于，作为初级辐射源使用具 有含铟填充的放电灯。

8.根据权利要求5的光源，其特征在于，作为初级辐射源使用电 致发光灯。

9.根据权利要求5的光源，其特征在于，所述初级辐射的一部分 另外借助于其它发光材料转换成长波辐射。

10.根据权利要求9的光源，其特征在于，其中合适地选择和混合 所述发光材料以产生白光。

11.根据权利要求9的光源，其特征在于，所述光源的色温为至少 2000k。

12.根据权利要求9的光源，其特征在于，所述光源的色温为2700 至3500k。

13.根据权利要求5的光源，其特征在于，所述芯片发射的峰值波 长在445至475nm的范围内。

14.根据权利要求5的光源，其特征在于，所述芯片发射的峰值波 长在450至455nm的范围内。

15.根据权利要求5的光源，其特征在于，氧氮化物硅酸盐发射的 峰值波长在595至650nm的范围内。

16.根据权利要求5的光源，其特征在于，氧氮化物硅酸盐发射的 峰值波长在600至630nm的范围内。

17.根据权利要求5的光源，其特征在于，Ra达到至少88。

18.根据权利要求5的光源，其特征在于，Ra达到大于90。

19.一种用于制备根据权利要求1的发光材料的方法，其特征在于 下列方法步骤：

a)提供原材料SiO₂和/或Si₃N₄、SrCO₃、BaCO₃、CaCO₃和Eu前 体，基本上以化学计算比例；

b)混合所述原材料，并且在使用熔剂的条件下煅烧；

c)其中所述混合物的煅烧在约1300至1700℃进行。

20.根据权利要求19的方法，其特征在于，所述Eu前体为Eu₂O₃。

21.根据权利要求19的方法，其特征在于，所述混合物的煅烧在 1500至1600℃进行。