[发明专利]往复式孔眼掩模系统及其使用方法无效
申请号: | 200680046847.7 | 申请日: | 2006-12-12 |
公开(公告)号: | CN101331587A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 布赖恩·E·施赖伯 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 郑立;林月俊 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 往复 孔眼 系统 及其 使用方法 | ||
1.一种在基底上沉积材料图案的装置,包括:
传送辊结构,其传送基底,和接纳辊结构,其接纳基底;
沉积源,其设置为将沉积材料导向基底;
进料仓,其被构造为容纳多个夹具,每个所述夹具被构造为支承掩模,所述掩模具有限定图案的孔眼;以及
梭子结构,其被构造为接纳所述进料仓送出的选定夹具,并建立起所述选定夹具上的所述掩模与所述基底之间的接触,所述梭子结构被构造为使所述选定夹具与所述基底成一直线并相对于所述沉积源移动,以使得沉积材料穿过所述选定夹具的所述掩模的所述孔眼,从而在所述基底上形成所述沉积材料的图案。
2.根据权利要求1所述的装置,还包括被构造为将所述基底相对于所述掩模对齐的对齐结构。
3.根据权利要求1所述的装置,还包括被构造为将所述掩模相对于所述基底对齐的对齐结构。
4.根据权利要求1所述的装置,还包括基底对齐结构和掩模对齐结构,所述基底对齐结构被构造为调整所述基底的位置,所述掩模对齐结构被构造为调整所述选定夹具上的所述掩模的位置,所述各个对齐结构都是可以控制调整的,以利于所述基底与所述掩模之间的对齐。
5.根据权利要求1所述的装置,还包括掩模对齐结构,所述掩模对齐结构被构造为调整所述掩模相对于所述选定夹具的位置。
6.根据权利要求5所述的装置,其中所述掩模包括框标,并且所述夹具包括基准,所述掩模对齐结构被构造为将所述框标相对于所述选定夹具的所述基准对齐。
7.根据权利要求5所述的装置,其中所述掩模对齐结构被构造为沿所述掩模的一条轴线相对于所述选定夹具调整所述掩模的位置。
8.根据权利要求5所述的装置,其中所述掩模对齐结构被构造为沿所述掩模的两条垂直轴线相对于所述选定夹具调整所述掩模的位置。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述掩模对齐结构包括一个或多个可控的驱动器,所述驱动器布置在所述选定夹具上并连接到所述掩模,所述驱动器被构造为可控制地调整所述选定夹具的所述掩模上的张力。
10.根据权利要求9所述的装置,其中所述驱动器被构造为相对于所述掩模的两条垂直轴线可控制地调整所述掩模的张力。
11.根据权利要求1所述的装置,还包括基底对齐结构,所述基底对齐结构包括在所述基底上的标记和将所述基底的横向位置调至预定位置的幅材引导件,其中所述梭子结构被构造为调整所述选定夹具上的所述掩模的位置,以使得当所述梭子结构使所述基底与所述选定夹具成一直线移动时,所述基底的图案部分与所述掩模对齐。
12.根据权利要求1所述的装置,还包括幅材定位平台结构,该幅材定位平台结构被构造为当所述梭子结构使所述基底与所述选定夹具成一直线移动时,调整所述基底相对于所述掩模的位置。
13.根据权利要求12所述的装置,其中所述幅材定位平台结构包括支承板和气体传送结构,所述气体传送结构在所述基底与所述支承板之间提供大量气体。
14.根据权利要求13所述的装置,其中所述幅材定位平台结构还包括至少一个辊,所述气体传送结构被构造为在所述基底与所述至少一个辊之间提供大量气体。
15.根据权利要求12所述的装置,其中所述幅材定位平台结构包括支承板和设置在所述支承板的各对应端附近的辊,一个或两个所述辊被构造为当所述基底移过所述辊时冷却所述基底。
16.根据权利要求12所述的装置,其中所述幅材定位平台结构还包括振荡器,该振荡器被构造为使所述支承板产生振荡。
17.根据权利要求1所述的装置,其中所述基底具有被平面限定的表面,所述梭子结构被如此构造:相对于所述基底的所述平面,在偏离平面的方向相对于所述基底移动所述选定夹具。
18.根据权利要求17所述的装置,其中所述梭子结构被构造为在第一偏离平面方向移动所述选定夹具,以使得所述掩模在沉积之前与所述基底接合,以及在第二偏离平面方向移动所述选定夹具,以使得所述掩模在所述沉积结束后脱离所述基底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造