[发明专利]氮化镓系化合物半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化镓系化合物半导体发光元件，是在基板上顺序地层叠有包含氮化镓系化合物半导体的、n型半导体层和发光层以及p型半导体层，并且分别与p型半导体层和n型半导体层接触地设有正极和负极的发光元件，其特征在于，正极是具有开口部的正极，在该开口部的p型半导体层表面的至少一部分是来源于球状的粒状物的凹凸面。

2.一种氮化镓系化合物半导体发光元件，是在基板上顺序地层叠有包含氮化镓系化合物半导体的、n型半导体层和发光层以及p型半导体层，并且分别与p型半导体层和n型半导体层接触地设有正极和负极的发光元件，其特征在于，正极是具有开口部的正极，在该开口部的p型半导体层表面的至少一部分是尖端部为半球状的凹凸面。

3.一种氮化镓系化合物半导体发光元件，是在基板上顺序地层叠有包含氮化镓系化合物半导体的、n型半导体层和发光层以及p型半导体层，并且分别与p型半导体层和n型半导体层接触地设有正极和负极的发光元件，其特征在于，正极是具有开口部的正极，在该开口部的p型半导体层表面的至少一部分是由曲面构成尖端部的凹凸面。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，具有开口部的所述正极为格栅状或梳子形状。

5.根据权利要求4所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，所述格栅的棂条或所述梳子的齿的宽度为1μm～50μm。

6.根据权利要求4所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，所述格栅的棂条或所述梳子的齿的距离为1μm～50μm。

7.根据权利要求1～3的任一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，所述凹凸面的凸部即粒状物的直径为0.01～3μm。

8.根据权利要求1～3的任一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，所述凹凸面的上端的高度从负极形成面起为0.1～2μm。

9.根据权利要求8所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，所述凹凸面的上端的高度为与p型半导体层表面同等的高度。

10.根据权利要求1～3的任一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，所述凹凸面的凸部的高度为0.01～1μm。

11.根据权利要求1～3的任一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，所述凹凸面的凸部即粒状物的密度为1×10⁵个/mm²～1×10⁸个/mm²。

12.根据权利要求1～3的任一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，所述凹凸面也存在于发光元件的四周。

13.根据权利要求1～3的任一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件，所述凹凸面也存在于正极与负极之间。

14.一种氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法，包括下述(1)～(4)的工序：

(1)在基板上顺序地层叠包含氮化镓系化合物半导体的、n型半导体层和发光层以及p型半导体层的工序；

(2)在该p型半导体层上形成具有开口部的正极的工序；

(3)在该开口部的p型半导体层上形成包含金属微粒子的掩模的工序；以及

(4)从该掩模上干蚀刻氮化镓系化合物半导体的工序。

15.根据权利要求14所述的制造方法，所述工序(3)包括：在p型半导体层上形成金属薄膜的工序以及其后的热处理工序。

16.根据权利要求14所述的制造方法，所述金属微粒子是选自Ni、Au、Sn和Ge之中的金属或至少含有这些金属的一种的低熔点合金。

17.一种氮化镓系化合物半导体发光元件，是采用权利要求14所述的制造方法制造的。

18.一种灯，包括权利要求1～3和权利要求17的任一项所述的氮化镓系化合物半导体发光元件。

19.一种电子设备，装有权利要求18所述的灯。

20.一种机械装置，装有权利要求19所述的电子设备。