[发明专利]磁盘基底及其磁记录介质

说明书

技术领域

本发明涉及一种磁盘基底以及使用该磁盘基底的磁记录介质。更具体地，本发明涉及一种磁盘基底，其可以实现能够与高记录密度相适应地读取和写入的磁记录介质。

本申请要求于2005年12月15日提交的日本专利申请No.2005-361719以及于2005年12月22日提交的美国临时申请No.60/752,394的优先权，在此引入其内容作为参考。

背景技术

近年来，在磁盘中期望更高的记录密度。为了满足该要求，已经对用于磁盘中的基底的表面形貌进行了广泛的研究。例如，专利文献1提出了这样的条件，其中波长在0.3mm至3.0mm的表面波纹(surface waviness)的振幅为50nm以下，并且将表面粗糙度调整为Ra＝2nm至7nm，且R_max＝10nm至60nm。同样地，例如，专利文献2提出了一种磁盘，其中表面的微波纹具有0.1mm至5mm的周期和0.1nm至1nm的振幅。

然而，在专利文献1和2中所述的技术中，存在这样的情况，当磁头在基底表面上方移动时，磁头与基底表面上的凹凸不平之处碰撞，并且这些技术不能充分满足对高记录密度的上述要求。

此外，专利文献3描述了一种玻璃基底，其中使得在基底表面上产生的波纹的高度为Wa(nm)，并且使得在波纹上产生的微波纹的高度为NRa(nm)，其中波纹的高度是在0.4mm至5.0mm的测量波长(λ)下通过使用用于通用磁盘的干涉仪测得的，微波纹的高度是在0.2mm至1.4mm的测量波长(λ)下通过使用用于三维表面结构分析的显微镜方法测得的，Wa为0.8以下，并且如果Wa为0.4以下，则NRa与Wa的比率(NRa/Wa)为1/1.5以下；如果Wa为大于0.4至0.5，则NRa与Wa的比率(NRa/Wa)为1/2以下；以及如果Wa为大于0.5至0.8，则NRa与Wa的比率(NRa/Wa)为1/3以下。

专利文献1：日本未审专利申请，公开号No.H6-96436

专利文献2：日本未审专利申请，公开号No.2000-207733

专利文献3：日本未审专利申请，公开号No.2003-223711

发明内容

然而，由于很难批量生产，专利文献3中所述的玻璃基底是不实用的。具体地，当前批量生产的基底中的Wa的值为约0.3nm，但是假设在专利文献3的技术中Wa的值为0.3nm，则NRa与Wa的比率(NRa/Wa)将必须为0.6以下，且这将需要大量时间和精力以进行制造，使产量降低，并且因此很难批量生产。

本发明由对上述情况的研究而产生，并且本发明的目的是提供一种磁记录基底，并提供一种使用该磁记录基底的磁记录介质，该磁记录基底可以实现能够与高记录密度相适应地读和写的磁记录介质，可以批量生产，并且具有优良的电磁转换特性。

为了解决上述问题，本发明人发现，通过如此制造磁盘基底，以使通过使用用于通用磁盘的干涉仪在5.0mm的测量波长下测得的在表面上的波纹的振幅Wa(下文中简称为“波纹的振幅”)在0.1nm至0.5nm的范围内；通过使用用于三维表面结构分析的显微镜方法在30μm至200μm的测量波长下测得的在上述波纹上产生的微波纹的平均振幅Wb(下文中简称为“微波纹的平均振幅”)为0.3nm以下；以及通过将微波纹的平均振幅Wb除以波纹的振幅Wa计算得到的值即Wb/Wa为0.6以上，可以获得可以批量生产且具有优良电磁转换特性的磁盘基底。

另外，在本发明中，“波纹的振幅Wa”是指由5.0mm的参考波长的波纹曲线所表示的振幅，如图1A所示。并且，如图1B所示，“微波纹的平均振幅Wb”是指在波纹上产生的微波纹的振幅，即如果波纹曲线是直线状的所代表的微波纹的振幅(算术平均粗糙度Ra)。

详细地说，随着基底的波纹的振幅Wa变大，磁头不能跟踪在其磁记录介质中基底的波纹，并且存在这样的担心，即电磁转换的输出波形因此而陷于混乱。如果基底的波纹的振幅Wa非常大，那么，磁头撞入磁记录介质。相反地，本发明人发现，通过使得基底的波纹的振幅Wa小于0.5nm，可以实现具有优良电磁转换特性的磁记录介质。