[发明专利]光学装置和制造该光学装置的方法有效
申请号: | 200680047270.1 | 申请日: | 2006-12-15 |
公开(公告)号: | CN101331620A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 成泰连 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;罗延红 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 装置 制造 方法 | ||
1.一种光学装置,包括:
光学构件;
接触层,包括堆叠在光学构件的顶部表面和底部表面的至少一个上的至少一个透明导电氧氮化物(TCON)层,
其中,所述TCON包含从由与氧(O)和氮(N)化合的铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)、镓(Ga)、铝(Al)、镁(Mg)、钛(Ti)、钼(Mo)、镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、铑(Rh)、铱(Ir)、钌(Ru)和钯(Pd)组成的组中选择的至少一种。
2.如权利要求1所述的光学装置,其中,光学构件包括n型氮化物包层、p型氮化物包层和置于n型氮化物包层和p型氮化物包层之间的有源层。
3.如权利要求2所述的光学装置,其中,接触层包括形成在n型氮化物包层上的n型接触层和形成在p型氮化物包层上的p型接触层中的至少一个。
4.如权利要求1所述的光学装置,其中,所述TCON还包含掺杂物,以调节电特性,掺杂物包括从由金属、氟(F)和硫(S)组成的组中选择的至少一种。
5.如权利要求4所述的光学装置,其中,以0.001重量百分比至20重量百分比的比率将所述掺杂物加入所述TCON。
6.如权利要求1所述的光学装置,其中,接触层还包含从由与TCON层结合的金属、基于所述金属的合金/固溶体、导电氧化物、透明导电氧化物(TCO)和透明导电氮化物(TCN)组成的组中选择的至少一种。
7.如权利要求6所述的光学装置,其中,所述金属包括从由铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、金(Au)、铑(Rh)、钌(Ru)、铱(Ir)、银(Ag)、锌(Zn)、镁(Mg)、铍(Be)、铜(Cu)、钴(Co)、锡(Sn)和稀土金属组成的组中选择的至少一种,
所述导电氧化物包括从由镍的氧化物(Ni-O)、铑的氧化物(Rh-O)、钌的氧化物(Ru-O)、铱的氧化物(Ir-O)、铜的氧化物(Cu-O)、钴的氧化物(Co-O)、钨的氧化物(W-O)或钛的氧化物(Ti-O)组成的组中选择的至少一种,
所述TCO包括从由氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、氧化镉(CdO)、氧化镁锌(MgZnO)、氧化铟锌(InZnO)、氧化铟锡(InSnO)、氧化铜铝(CuAlO2)、氧化银(Ag2O)、氧化镓(Ga2O3)、氧化锌锡(ZnSnO)、氧化锌铟锡(ZITO)组成的组中选择的至少一种,
所述TCN包括从由氮化钛(TiN)、氮化铬(CrN)、氮化钨(WN)、氮化钽(TaN)或氮化铌(NbN)组成的组中选择的至少一种。
8.如权利要求7所述的光学装置,还包含被引入氮化物包层上以与接触层结合的纳米级颗粒,其中,纳米级颗粒包括从由金属、基于所述金属的合金/固溶体、导电氧化物、透明导电氧化物(TCO)和导电氮化物(TCN)组成的组中选择的至少一种。
9.如权利要求1所述的光学装置,还包括隧道结层,置于光学构件和接触层之间,并包含从由第III-第V族元素组成的表示为AlalnbGacNxPyAsz(a、b、c、x、y和z为整数)的化合物中选择的一种。
10.如权利要求1所述的光学装置,其中,将光学构件应用于光接收装置、发光装置、发光二极管、有机发光二极管(OLED)和太阳能电池中的任意一种。
11.一种制造光学装置的方法,所述方法包括:
形成光学构件;
通过在光学构件的顶部表面和底部表面的至少一个上堆叠至少一个透明导电氧氮化物(TCON)层来形成接触层,
其中,所述TCON包含从由与氧(O)和氮化合的铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)、镓(Ga)、铝(Al)、镁(Mg)、钛(Ti)、钼(Mo)、镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、铑(Rh)、铱(Ir)、钌(Ru)和钯(Pd)组成的组中选择的至少一种。
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