[发明专利]测试装置和插脚电子卡无效
申请号: | 200680047293.2 | 申请日: | 2006-12-13 |
公开(公告)号: | CN101331405A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 松本直木;关野隆 | 申请(专利权)人: | 爱德万测试株式会社 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人: | 齐永红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 装置 插脚 电子卡 | ||
1.一种测试装置,用于测试被测试器件,其特征在于包括:
将测试信号输出到所述被测试器件中的激励器;
电连接所述激励器和所述被测试器件的第一传送路径;
设置在所述第一传送路径中的、切换是否连接所述激励器和所述被测试器件的第一FET开关;
比较所述被测试器件的输出信号电压和预先设定的参考电压的比较器;
在所述第一传送路径中,从所述第一FET开关和所述被测试器件之间分路,连接所述第一传送路径和所述比较器的第二传送路径;
设置在所述第二传送路径中的、切换是否连接所述比较器和所述被测试器件的第二FET开关;
检测所述输出信号,根据检测的所述输出信号,对所述第一FET开关的电容成分进行充放电的电容补偿部。
2.根据权利要求1所述的测试装置,其特征在于所述电容补偿部具有:在所述第二FET开关和所述比较器之间的所述第二传送路径中,检测所述输出信号的检测部;和
将根据所述检测部检测的所述输出信号的电流施加到所述激励器和所述第一FET开关之间的所述第一传送路径上的电流施加部。
3.根据权利要求2所述的测试装置,其特征在于所述激励器、所述比较器、所述第一FET开关和所述第二FET开关设置在同一个基板上。
4.根据权利要求2所述的测试装置,其特征在于所述电流施加部与所述输出信号的上升边界相对应生成给所述第一FET开关的电容成分进行充电的电流,与所述输出信号的下降边界相对应生成给所述第一FET开关的电容成分进行放电的电流。
5.根据权利要求4所述的测试装置,其特征在于所述检测部具有生成所述输出信号的微分波形的微分电路;
所述电流施加部具有电压电流转换电路,其生成与所述微分波形相对应的电流。
6.根据权利要求2所述的测试装置,其特征在于还包括设置在所述第二FET开关和所述比较器之间的所述第二传送路径中的缓冲放大器,
所述检测部在所述缓冲放大器和所述比较器之间的所述第二传送路径中检测所述输出信号。
7.根据权利要求3所述的测试装置,其特征在于所述第二FET开关的接通电阻比所述第一FET开关的接通电阻大。
8.一种对被测试器件进行测试的测试装置,其特征在于包括:
将测试信号输出到所述被测试器件中的激励器;
电连接所述激励器和所述被测试器件的第一传送路径;
设置在所述第一传送路径中的、切换是否连接所述激励器和所述被测试器件的第一FET开关;
比较所述被测试器件的输出信号电压和预先设定的参考电压的比较器;
在所述第一传送路径中,从所述第一FET开关和所述被测试器件之间分路,连接所述第一传送路径和所述比较器的第二传送路径;
设置在所述第二传送路径中的、切换是否连接所述比较器和所述被测试器件的第二FET开关;
检测所述测试信号,根据检测的所述测试信号,对所述第二FET开关的电容成分进行充放电的电容补偿部。
9.一种在对被测试器件进行测试的测试装置中,与所述被测试器件进行信号收发的插脚电子卡,其特征在于包括:
将测试信号输出到所述被测试器件中的激励器;
电连接所述激励器和所述被测试器件的第一传送路径;
设置在所述第一传送路径中的、切换是否连接所述激励器和所述被测试器件的第一FET开关;
比较所述被测试器件的输出信号电压和预先设定的参考电压的比较器;
在所述第一传送路径中,从所述第一FET开关和所述被测试器件之间分路,连接所述第一传送路径和所述比较器的第二传送路径;
设置在所述第二传送路径中的、切换是否连接所述比较器和所述被测试器件的第二FET开关;
检测所述输出信号,根据检测的所述输出信号,对所述第一FET开关的电容成分进行充放电的电容补偿部。
10.一种在对被测试器件进行测试的测试装置中,与被测试器件进行信号收发的插脚电子卡,其特征在于,包括:
将测试信号输出到所述被测试器件中的激励器;
电连接所述激励器和所述被测试器件的第一传送路径;
设置在所述第一传送路径中的、切换是否连接所述激励器和所述被测试器件的第一FET开关;
比较所述被测试器件的输出信号电压和预先设定的参考电压的比较器;
在所述第一传送路径中,从所述第一FET开关和所述被测试器件之间分路,连接所述第一传送路径和所述比较器的第二传送路径;
设置在所述第二传送路径中的、切换是否连接所述比较器和所述被测试器件的第二FET开关;
检测所述测试信号,根据检测的所述测试信号,对第二FET开关的电容成分进行充放电的电容补偿部。
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