[发明专利]蚀刻光刻基片的改进的方法

权利要求书

1.一种用于处理光刻基片的方法，包括：

将该光刻基片装载到真空室内，所述光刻基片具有高热质量；

在蚀刻来自所述光刻基片的材料之前，将所述光刻基片冷却到小 于负30摄氏度的温度；

将含氧的处理气体引入所述真空室；

使用具有大于200瓦特功率的感应耦合等离子体源，在所述冷却 步骤之后，从所述含氧的处理气体激发等离子体，所述含氧的处理气 体具有在总气流速率的2％和50％之间的氧气流速率以实现蚀刻材料 Cr比光致抗蚀剂蚀刻选择性大于2比1；

使用所述等离子体蚀刻来自所述光刻基片的材料，而无需在处理 期间有效地冷却所述光刻基片；以及

从所述真空室卸载所述光刻基片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻基片是二元Cr光 掩模。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻基片是相移光掩模。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述相移光掩模是嵌入式衰 减相移掩模。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氧的处理气体进一步 包括含氯的气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述含氯的气体以在50sccm 和400sccm之间的气流速率引入该真空室。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括基于时间对该光刻基 片的处理进行调制。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述调制是振幅调制。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述调制是脉冲调制。