[发明专利]用于等离子处理系统的刻痕停止脉冲工艺

权利要求书

1.在等离子处理室中，用于蚀刻其上具有硅层的基片的方法，所 述等离子处理室具有底部电极，在所述蚀刻过程中，所述基片 设在所述底部电极上，该方法包括：

执行主蚀刻步骤；

当达到对所述硅层的预先设定的蚀刻深度时，终止所述 主蚀刻步骤，所述预先设定的蚀刻深度是所述硅层厚度的至少 70％；

执行过蚀刻步骤，所述过蚀刻步骤包括第一工艺步骤和 第二工艺步骤，使用施加到所述底部电极的第一底部功率水平 来执行所述第一工艺步骤，使用施加到所述底部电极的、低于 所述第一底部功率水平的第二底部功率水平来执行所述第二 工艺步骤，其中所述第一工艺步骤和所述第二工艺步骤交替执 行多次；以及

在所述硅层被蚀刻穿之后，终止所述过蚀刻步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺步骤使用第一 工艺制法，该制法配置为比所述第二工艺步骤所使用的第二工 艺制法从所述硅基片上去除更多的硅材料，所述第一工艺步 骤表示蚀刻子步骤，所述第二工艺步骤表示钝化子步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二底部功率水平基本 上为零瓦特。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述主蚀刻步骤包括第三工 艺步骤和第四工艺步骤，所述第三工艺步骤使用第三工艺制 法，该制法配置为比所述第四工艺步骤所使用的第四工艺制法 从所述硅基片上去除更多的硅材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一工艺步骤和所述第 二工艺步骤使用第一气体混合物，所述第三工艺步骤和所述第 四工艺步骤使用不同于所述第一气体混合物的第二气体混合 物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述过蚀刻步骤使用的气体 混合物不同于所述主蚀刻步骤过程中使用的气体混合物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述主蚀刻步骤使用第三底 部功率水平，其高于所述第一底部功率水平或者所述第二底部 功率水平的任一个。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述预先设定的蚀刻深度是 所述硅层厚度的至少80％。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述预先设定的蚀刻深度是 所述硅层厚度的至少90％。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一工艺步骤使用的 气体混合物不同于所述第二工艺步骤过程中使用的气体混合 物。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺步骤的持续时 间基本上与所述第二工艺步骤的持续时间相同。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺步骤的持续时 间大于所述第二工艺步骤的持续时间。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺步骤的持续时 间小于所述第二工艺步骤的持续时间。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺步骤持续1 微秒到10秒，所述第二工艺步骤持续1微秒到3秒。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述终止所述过蚀刻步骤通 过光发射终端方法来确定。

16.根据权利要求5所述的方法，其中所述第三工艺步骤所使用的 气体混合物不同于所述第四工艺步骤过程中使用的气体混合 物。