[发明专利]用于降低电流消耗的存储器系统及其方法有效
申请号: | 200680047559.3 | 申请日: | 2006-12-25 |
公开(公告)号: | CN101331552A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 砂永登志男 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G11C11/4074 | 分类号: | G11C11/4074 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郭放 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 降低 电流 消耗 存储器 系统 及其 方法 | ||
1.一种存储器系统,包括:
存储器单元阵列;
存取控制电路,接收对上述存储器单元阵列的存取开始请求以及 存取结束请求中的任何一个来对向上述存储器单元阵列的存取进行 控制;以及
高电压供给升压电路,用于响应于上述存取开始请求而向上述存 取控制电路供给预先充电了的电荷来将上述存取控制电路从存储器 存取用的低电压驱动成存储器存取用的高电压;以及
低电压供给升压电路,该低电压供给升压电路用于吸收响应于上 述存取结束请求而将上述存取控制电路从上述高电压切换成上述低 电压时的过剩电荷。
2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中,
上述高电压供给升压电路包括:
高电压升压用电容器,用于响应于上述存取开始请求而从第1 参考电压的供给源将预先充电了的电荷向上述存取控制电路中的上 述高电压的供给源放电;
第1半导体开关,在上述充电时将上述高电压升压用电容器的一 个电极连接到上述第1参考电压的上述供给源,在上述放电时将上述 一个电极连接到上述存取控制电路中的上述高电压的上述供给源,而 在其他时间将上述一个电极断开;以及
第2半导体开关,在上述充电时将上述高电压升压用电容器的另 一个电极接地,在上述放电时将上述另一个电极连接到第2参考电压 的供给源,而在其他时间将上述另一个电极接地。
3.根据权利要求2所述的存储器系统,还包括从电源电压生成 上述高电压来供给的高电压发生电路,
上述高电压供给升压电路还包括第3半导体开关,该第3半导体 开关用于将上述高电压升压用电容器的上述一个电极连接到上述高 电压发生电路的高电压供给源,从上述一个电极对上述高电压发生电 路补充电荷。
4.根据权利要求3所述的存储器系统,还包括从电源电压生成 上述低电压来供给的低电压发生电路,
上述低电压供给升压电路包括:
低电压升压用电容器,用于响应于上述存取结束请求而经由上述 低电压发生电路的低电压供给源来将从上述存取控制电路中的上述 高电压的上述供给源预先充电了的电荷放电;
第4半导体开关,在上述充电时将上述低电压升压用电容器的一 个电极连接到上述存取控制电路中的上述高电压的上述供给源,在上 述放电时将上述一个电极接地,而在其他时间将上述一个电极断开; 以及
第5半导体开关,在上述充电时将上述低电压升压用电容器的另 一个电极接地,在上述放电时将上述另一个电极连接到上述低电压发 生电路的上述低电压供给源,而在其他时间将上述另一个电极接地。
5.根据权利要求4所述的存储器系统,其中,
上述存储器单元阵列是由n沟道MOS FET构成的DRAM的存 储器单元阵列,
上述存取控制电路是对与构成上述存储器单元阵列的单元晶体 管的栅极连接的多个字线进行驱动的字线电路。
6.根据权利要求4所述的存储器系统,其中,
上述第1参考电压包括电源电压,
上述第2参考电压包括上述高电压,
上述第2参考电压由上述高电压发生电路的上述高电压供给源 供给。
7.根据权利要求4所述的存储器系统,其中,上述高电压发生 电路以及上述低电压发生电路均由电荷泵电路构成。
8.一种供给电压方法,该供给电压方法是在存储器系统中,为 了利用存储器存取用的高电压以及存储器存取用的低电压对接收对 存储器单元阵列的存取开始请求以及存取结束请求中的任意一个来 对向上述存储器单元阵列的存取进行控制的存取控制电路进行驱动, 利用电压供给升压电路来执行的方法,包括如下步骤:
第1充电步骤,响应于上述存取开始请求而向上述电压供给升压 电路充电电荷;
第1放电步骤,在上述充电完成后将上述充电了的电荷放电并供 给到上述存取控制电路;以及
第1初始化步骤,为了再次充电,在上述放电后的残留电荷仍保 持在上述电压供给升压电路中的状态下,进行复位。
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