[发明专利]从闪速存储器中的错误恢复的方法有效

专利信息
申请号: 200680047669.X 申请日: 2006-10-24
公开(公告)号: CN101529522A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: M·拉塞尔;M·莫林 申请(专利权)人: 晟碟以色列有限公司
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦 晨
地址: 以色*** 国省代码: 以色列;IL
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摘要:
搜索关键词: 存储器 中的 错误 恢复 方法
【权利要求书】:

1.一种在包括多个闪速存储单元以及错误检测和校正模块的系 统中读取数据的方法,该方法包括:

a)从多个闪速存储单元中读取数据位;

b)尝试使用错误检测和校正模块校正所述读取数据位的错误;

c)如果错误检测和校正模块的错误校正失败,使用至少一个修 改参考电压从所述多个闪速存储单元中至少一次重新读取所述数据 位,直到该模块成功地校正所述错误;以及

d)对于所述数据位的随后读取,对于所述数据位重复步骤 (a)、(b)和(c)而不将所述数据位重写到所述存储单元。

2.根据权利要求1的方法,其中所述重复之前的初始的所述读 取是响应第一读取请求,并且与所述重复相关联的随后读取是响应随 后的读取请求。

3.根据权利要求1的方法,还包括:

e)在所述校正之后,存储该模块成功地校正所述错误的至少一 个读取参考电压;

f)在所述存储之后,取回所述存储的至少一个读取参考电压; 以及

g)在所述取回之后,使用所述取回的至少一个读取参考电压从 所述多个闪速存储单元中读取数据位。

4.根据权利要求3的方法,其中至少一个所述读取参考电压存 储在易失性存储器中。

5.根据权利要求3的方法,其中至少一个所述读取参考电压存 储在非易失性存储器中。

6.根据权利要求3的方法,其中至少一个所述读取参考电压存 储在所述闪速存储单元的一个或多个中。

7.根据权利要求3的方法,其中所述读取数据位使用闪存控制 器读取,并且至少一个所述读取参考电压存储在所述闪存控制器中。

8.根据权利要求3的方法,其中所述存储之前的初始的所述读 取是响应第一读取请求,并且使用所述取回的至少一个读取参考电压 的随后读取是响应随后的读取请求。

9.根据权利要求1的方法,还包括:

e)在所述步骤a)的从多个闪速存储单元中读取数据位之后, 如果错误检测和校正模块的错误校正失败,导出至少一个新的读取参 考电压,以及

其中,所述步骤c)的重新读取所述数据位使用所述导出的至少 一个新的读取参考电压作为所述至少一个修改参考电压,从所述多个 闪速存储单元中重新读取所述数据位。

10.根据权利要求9的方法,其中所述导出的至少一个新的电压 至少部分地根据由所述错误检测和校正模块提供的信息确定。

11.根据权利要求9的方法,其中所述导出的至少一个新的电压 至少部分地随机确定。

12.一种用于数据存储的闪速存储设备,该设备包括:

a)用于存储数据位的多个闪速存储单元;

b)用于检测和校正所述数据位中的错误的错误检测和校正模 块;以及

c)用于从所述存储单元中读取所述数据位的控制器,其中:

i)所述控制器被用以通过从所述多个闪速存储单元中读取 数据位来响应第一读取请求,并且如果所述错误检测和校正模块 校正所述数据位失败,使用至少一个修改参考电压重新读取数据 位直到所述模块成功地校正所述错误;以及

ii)所述控制器进一步被用以对于随后的读取请求重复所述 响应,对于所述数据位的随后读取,不将所述数据位重写到所述 存储单元。

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