[发明专利]从闪速存储器中的错误恢复的方法有效
申请号: | 200680047669.X | 申请日: | 2006-10-24 |
公开(公告)号: | CN101529522A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | M·拉塞尔;M·莫林 | 申请(专利权)人: | 晟碟以色列有限公司 |
主分类号: | G11C11/34 | 分类号: | G11C11/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦 晨 |
地址: | 以色*** | 国省代码: | 以色列;IL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 中的 错误 恢复 方法 | ||
1.一种在包括多个闪速存储单元以及错误检测和校正模块的系 统中读取数据的方法,该方法包括:
a)从多个闪速存储单元中读取数据位;
b)尝试使用错误检测和校正模块校正所述读取数据位的错误;
c)如果错误检测和校正模块的错误校正失败,使用至少一个修 改参考电压从所述多个闪速存储单元中至少一次重新读取所述数据 位,直到该模块成功地校正所述错误;以及
d)对于所述数据位的随后读取,对于所述数据位重复步骤 (a)、(b)和(c)而不将所述数据位重写到所述存储单元。
2.根据权利要求1的方法,其中所述重复之前的初始的所述读 取是响应第一读取请求,并且与所述重复相关联的随后读取是响应随 后的读取请求。
3.根据权利要求1的方法,还包括:
e)在所述校正之后,存储该模块成功地校正所述错误的至少一 个读取参考电压;
f)在所述存储之后,取回所述存储的至少一个读取参考电压; 以及
g)在所述取回之后,使用所述取回的至少一个读取参考电压从 所述多个闪速存储单元中读取数据位。
4.根据权利要求3的方法,其中至少一个所述读取参考电压存 储在易失性存储器中。
5.根据权利要求3的方法,其中至少一个所述读取参考电压存 储在非易失性存储器中。
6.根据权利要求3的方法,其中至少一个所述读取参考电压存 储在所述闪速存储单元的一个或多个中。
7.根据权利要求3的方法,其中所述读取数据位使用闪存控制 器读取,并且至少一个所述读取参考电压存储在所述闪存控制器中。
8.根据权利要求3的方法,其中所述存储之前的初始的所述读 取是响应第一读取请求,并且使用所述取回的至少一个读取参考电压 的随后读取是响应随后的读取请求。
9.根据权利要求1的方法,还包括:
e)在所述步骤a)的从多个闪速存储单元中读取数据位之后, 如果错误检测和校正模块的错误校正失败,导出至少一个新的读取参 考电压,以及
其中,所述步骤c)的重新读取所述数据位使用所述导出的至少 一个新的读取参考电压作为所述至少一个修改参考电压,从所述多个 闪速存储单元中重新读取所述数据位。
10.根据权利要求9的方法,其中所述导出的至少一个新的电压 至少部分地根据由所述错误检测和校正模块提供的信息确定。
11.根据权利要求9的方法,其中所述导出的至少一个新的电压 至少部分地随机确定。
12.一种用于数据存储的闪速存储设备,该设备包括:
a)用于存储数据位的多个闪速存储单元;
b)用于检测和校正所述数据位中的错误的错误检测和校正模 块;以及
c)用于从所述存储单元中读取所述数据位的控制器,其中:
i)所述控制器被用以通过从所述多个闪速存储单元中读取 数据位来响应第一读取请求,并且如果所述错误检测和校正模块 校正所述数据位失败,使用至少一个修改参考电压重新读取数据 位直到所述模块成功地校正所述错误;以及
ii)所述控制器进一步被用以对于随后的读取请求重复所述 响应,对于所述数据位的随后读取,不将所述数据位重写到所述 存储单元。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晟碟以色列有限公司,未经晟碟以色列有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680047669.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:放射性废物的贮存容器
- 下一篇:巡航控制计划评估装置和方法