[发明专利]通过测量散射参数确定特征线路参数的测量装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于通过测量作为电信号线路的频率的函数的散射参数(S参数)来确定特征线路参数的测量装置。

背景技术

在如今高性能计算机的开发过程中，用于所有封装水平上的硬件关联测量的模型是必需的。时域和频域中的不同测量技术需要不同的测量设备和测试台设计。对测试台的一个要求等同于对产品的要求。因此，需要对产品中的芯片上的传输线路进行测量，如对分布在芯片上的所有金属层中的电源和接地线进行测量。此外，不仅对测量单条信号传输线路感兴趣，而且对像布线沟道利用那样的产品感兴趣。这对于反映芯片上的真实信号耦合行为和顶层金属层与半导电基板之间的金属层的屏蔽效果来说是必需的。

一种已知的测量技术是所谓的S参数测量，参见Zinke/Brunswig  ，”Lehrbuch der Hochfrequenztechnik”，Springer-Verlag，1989。S参数是n端口网络的反射和传输系数。单条传输线路的等同物例如是由2X2S参数矩阵表征的双端口网络。

由以下关系描述双端口网络：

b1b2=S11S12S21S22.a1a2]]>

其中，S₁₁、S₂₂、S₁₂和S₂₁是S参数，即

S₁₁＝在输出端口端接有匹配负载的情况下的输入反射系数，

S₂₂＝在输入端口端接有匹配负载的情况下的输出反射系数，

S₁₂＝在输入端口端接有匹配负载的情况下的反向传输(插入)增益，

S₂₁＝在输出端口端接有匹配负载的情况下的正向传输(插入)增益，

变量a₁、a₂和b₁、b₂是入射在双端口网络的第一和第二端口上并从该第一和第二端口反射的复合(complex)电压波。

在本情况下，S参数测量是一种有利的测量技术，因为S参数比其他类型的参数更容易测量和在高频下操作。