[发明专利]改进的分割系统和方法无效
申请号: | 200680048363.6 | 申请日: | 2006-12-20 |
公开(公告)号: | CN101341575A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 林仲振;白承昊;钟中杰;辛彦顺;盛奎方;林镍盛;安松隆 | 申请(专利权)人: | 洛克系统私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/304;H01L21/67;H01L21/784;B81C1/00;B28D5/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改进 分割 系统 方法 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路(IC)及其制造。特别地,本发明涉及从包含多个IC的基片中分割IC。本发明更具体地涉及,具有包括线性部分和轮廓部分的组合的复杂平面形状的IC。
背景技术
IC的市场随着他们在存储卡方面的应用而增长,例如,micro SD卡在相机、PDA和MP3播放机等产品上的应用。Micro SD卡的特征是形状从规则的方形或直角的IC变化为需要更复杂的形状,所需的更复杂的形状不仅包括围绕IC的外周边缘的直线部分,而且还包括采用曲线形状或更一般化的轮廓的部分。SD卡的轮廓部分采用圆角而去除直角、向内凹陷以适应设备内的安装,并且采用曲线部分适应设备或获得好看的外表。
传统的方形和直角IC可使用切割锯进行切割或分割,这可以有效地切割基片的长的、线性的边,进而快速和高效地分割IC。已介绍的轮廓平面形状的切割锯是低效的,例如,圆角会被处理成不标准的角度。对于更精细的操作,例如在IC的边缘上制作凹槽,切割锯确实不适用了。对于曲线形状,实际上就不适合使用切割锯了。
为了克服切割锯的缺点,可以对IC进行冲压,于是使用合适形状的冲模具被压入基片,从而从基片上剪切下IC单元。尽管这样的冲压工艺可以很快和有效地从基片上得到所需形状的IC,但其具有引起基片损坏和沿IC边缘的局部损坏的缺点,并因此带来大量的浪费。
可更换地,可以使用刳刨机围绕所需的边缘引导切割部分。这也能够获得所需结果,然而,这种刳刨机需要的公差通常很高,以至于减少了能够结合到基片上的IC的有效的数量。此外,围绕复杂的形状操作刳刨机是非常费时的,整个过程与使用锯相比很慢。使用刳刨机的结果是降低了“每小时单元数”(UPH),这一指标是切片机效率的度量参数。因此,虽然刳刨机可以获得期望的结果,但是,刳刨机的UPH结果通常低于工业生产的经济阈值。
另一个更换方法是使用水或液体喷射切割装置。喷嘴的直径可能在0.4mm至0.2mm的范围内,所述喷嘴在高压下在集中的区域内提供高速的流体(如:水)。水中可能包含具有磨蚀作用的材料以促进切割过程,但这些具有磨蚀作用的材料同样会对水喷射装置的喷嘴产生伤害,随着使用需要不断地更换喷嘴。水喷射系统的另一个缺点是水喷射装置的喷嘴的操作速度一贯地慢于切割锯,在进行切割时必须要在水分割系统的效率和切割的复杂性之间进行平衡。喷头堵塞导致的重复停机或侵蚀带来的损失进一步限制了水喷射装置的经济效益。此外,使用水喷射装置分割IC还需要特殊的托架和夹具的支持,与之相比,切割锯仅需要简单的真空装置。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种能分割具有线性边缘和轮廓形状边缘的组合的IC的系统,其UPH参数高于现有工艺系统。
本发明的第一个方面,提供了一种从基片上分割IC单元的系统,所述IC单元具有线性外边缘和轮廓外边缘的组合,所述系统包括:轮廓切割装置,用于切割IC单元的轮廓部分;纵向切割装置,用于切割IC单元的线性部分,所述切割装置位于分割区域内。
第二个方面,本发明提供了一种从基片上分割IC单元的方法,所述IC单元具有线性外边缘和轮廓外边缘的组合,所述方法包括使用轮廓切割装置对IC单元轮廓部分进行轮廓切割的步骤和使用纵向切割装置对IC单元的线性部分进行纵向切割的步骤,所述切割步骤在分割区域内进行。
因此,在处理具有线性边缘和轮廓边缘的组合的IC时,本发明通过采用的分割工艺的组合进行。
本发明具有优化纵向切割装置的速度的优势和轮廓切割装置的灵活性,这样就最大化了UPH。
在优选的实施例中,本发明可以进一步包含分类装置,用于把已分割的IC单元进行分类,所述分类可包含通过、丢弃和重新加工中的一个或多个的组合。
在优选的实施例中,本发明可以进一步包含装载装置,用于把基片装载到分割区域。
在优选的实施例中,本发明可以进一步包含卸载装置,用于将已分割的IC单元从分割区域移除。
在优选的实施例中,轮廓切割装置可能包括下列中的任何一个或几个的组合:水喷射切割器,空气喷射切割器和激光切割器。流体类型的轮廓切割器,如水和空气切割器,要受到磨蚀和磨损的显著影响。特别是在流体中使用了用于增强切割效果的研磨剂磨料的情况下。结果,在传统情况下,所述切割器喷嘴的寿命非常短。通过结合使用轮廓切割装置和纵向切割装置,使部分IC由纵向切割装置所切割,这样就减少了在每个IC单元上轮廓切割装置的使用。
因此,尽管轮廓切割装置的寿命短,但是用“每IC单元”衡量的寿命却被显著地加长了。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造