[发明专利]具有双暴露表面的封装式半导体装置及其制造方法

权利要求书

1、一种封装式半导体装置，其包含：

a.至少一个半导体电路小片，其包含具有至少一个控制区域以及至少一个第一端接区域及一第二端接区域的垂直晶体管；

b.热夹，其具有第一表面及第二表面，其中所述热夹的所述第二表面连接到所述半导体电路小片的所述第二端接区域；

c.至少一个第一端接垫结构，其具有第一表面、第二表面及从所述第一端接垫结构的一侧延伸的至少一个第一端接引线，其中所述半导体电路小片的所述第一端接区域连接到所述第一端接垫结构的所述第一表面；

d.至少一个控制垫结构，其具有第一表面、第二表面及从所述控制垫结构的一端延伸的至少一个控制引线，其中所述半导体电路小片的所述控制区域连接到所述控制垫结构的所述第一表面；

e.至少一个第二端接垫结构，其具有第一表面、第二表面及从所述第二端接引线垫结构的一端延伸的至少一个第二端接引线，其中所述第二端接垫的所述第一表面连接到所述热夹的所述第二表面；及

f.非导电铸模材料，其囊封所述半导体电路小片，其中所述热夹的所述第一表面及所述第一端接垫结构的所述第二表面穿过所述非导电铸模材料而暴露，且其中所述控制引线、所述第一端接引线及所述第二端接引线穿过所述非导电铸模材料而暴露。

2、如权利要求1所述的装置，其中所述热夹的所述第一表面穿过所述铸模材料而顶暴露且所述第一端接垫结构的所述第二表面穿过所述铸模材料而底暴露。

3、如权利要求2所述的装置，其中所述控制引线、所述第一端接引线及所述第二端接引线与所述第一端接垫结构的所述底暴露第二表面共面。

4、如权利要求1所述的装置，其中所述第一端接垫结构的所述第二表面穿过所述铸模材料而顶暴露且所述热夹的所述第一表面穿过所述铸模材料而底暴露。

5、如权利要求4所述的装置，其中所述控制引线、所述第一端接引线及所述第二端接引线与所述热夹的所述底暴露第一表面共面。

6、如权利要求1所述的装置，其中所述半导体电路小片是金属氧化物半导体场效晶体管且所述第一端接区域是源极区域，所述控制区域是栅极区域，所述第二端接区域是漏极区域，且其中所述第一端接垫结构及引线是源极垫及引线，所述控制垫结构及引线是栅极垫及引线，且所述第二端接垫结构及引线是漏极垫及引线。

7、如权利要求1所述的装置，其中所述半导体电路小片是双极晶体管且所述第一端接区域是发射极区域，所述控制区域是基极区域，且所述第二端接区域是集电极区域，且其中所述第一端接垫结构及引线是发射极垫及引线，所述控制垫结构及引线是基极垫及引线，且所述第二端接垫结构及引线是集电极垫及引线。

8、一种用于制作封装式半导体装置的方法，所述方法包含：

a.提供至少一个半导体电路小片，其包含具有至少一个控制区域以及至少一个第一端接区域及一第二端接区域的晶体管；

b.提供热夹，其具有第一表面及第二表面

c.提供呈矩阵格式的引线框架阵列，所述引线框架包含：至少一个第一端接垫结构，其具有从所述第一端接垫结构的一侧延伸的至少一个第一端接引线；至少一个控制垫结构，其具有从所述控制垫结构的一端延伸的至少一个控制引线；及至少一个第二端接垫结构，其具有从所述第二端接垫结构的一端延伸的至少一个第二端接引线，其中所述引线框架具有第一表面及第二表面；

d.提供非导电铸模材料；

e.将所述半导体电路小片的所述第二端接区域附接到所述热夹的所述第二表面；

f.将所述半导体电路小片的所述控制区域附接到所述控制垫结构的所述第一表面且将所述第一端接区域附接到所述引线框架中的所述第一端接垫结构的所述第一表面；

g.将所述热夹的所述第二表面附接到所述引线框架中的所述第二端接垫结构的所述第一表面；

h.用所述非导电铸模材料囊封所述半导体电路小片、所述热夹及所述引线框架，其中所述热夹的所述第一表面及所述引线框架的所述第二表面上的所述第一端接垫结构以及所述控制引线、所述第一端接引线及所述第二端接引线穿过所述铸模材料而暴露。

9、如权利要求8所述的方法，其进一步包含用焊料膏附接所述半导体电路小片、所述引线框架及所述热夹。

10、如权利要求9所述的方法，其进一步包含在囊封之前使用回流工艺。