[发明专利]具有电路图案的玻璃基底和用于生产其的方法

权利要求书

1.一种用于产生具有电路图案的玻璃基底的方法，其包括：

电路图案形成步骤：在玻璃基底上形成薄膜层，然后使用激光照射所述薄膜层以在所述玻璃基底上形成电路图案；

低熔点玻璃沉积步骤：在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上沉积软化点在450到630℃之间的低熔点玻璃；以及

烧结步骤：烧结所述低熔点玻璃以形成低熔点玻璃层并且在所述玻璃基底和所述低熔点玻璃层之间形成兼容层，所述低熔点玻璃层包括烧结在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上的低熔点玻璃。

2.根据权利要求1所述的用于产生具有电路图案的玻璃基底的方法，其中，所述兼容层的厚度为照射激光时在所述玻璃基底上形成的激光照射缺陷的厚度的0.7到20倍。

3.根据权利要求1所述的用于产生具有电路图案的玻璃基底的方法，其中，所述兼容层的厚度等于或者大于照射激光时在所述玻璃基底上形成的激光照射缺陷的厚度。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的用于产生具有电路图案的玻璃基底的方法，其中，所述薄膜层具有包括选自由金属氧化物和金属构成的组中的至少一者的层。

5.根据权利要求4所述的用于产生具有电路图案的玻璃基底的方法，其中，所述薄膜层包含80质量％以上的氧化锡。

6.根据权利要求1-3和5中任意一项所述的用于产生具有电路图案的玻璃基底的方法，其不具有在显示中形成缺陷的激光照射缺陷。

7.一种具有电路图案的玻璃基底，其包括：

玻璃基底，其上具有通过激光照射形成在所述玻璃基底上的薄膜层而获得的电路图案；

低熔点玻璃层，通过在形成有所述电路图案的所述玻璃基底上沉积软化点在450到630℃之间的低熔点玻璃而获得；以及

兼容层，其位于所述玻璃基底和所述低熔点玻璃层之间。

8.根据权利要求7所述的具有电路图案的玻璃基底，其中，所述低熔点玻璃在50到350℃的温度范围内具有从60×10^-7到100×10^-7/℃的平均线膨胀系数。

9.根据权利要求7或8所述的具有电路图案的玻璃基底，其中，所述兼容层是通过下述方式获得的兼容层：在所述玻璃基底上沉积所述低熔点玻璃，然后在从比所述低熔点玻璃的软化点低50℃的温度到比所述软化点高150℃的温度范围内的温度下烧结所述低熔点玻璃。

10.根据权利要求7或8所述的具有电路图案的玻璃基底，其中，所述兼容层的厚度为照射激光时在所述玻璃基底上形成的激光照射缺陷的厚度的0.7到20倍。

11.根据权利要求7或8所述的具有电路图案的玻璃基底，其中，所述薄膜层具有包括选自由金属氧化物和金属构成的组中的至少一者的层。

12.根据权利要求11所述的具有电路图案的玻璃基底，其中，所述薄膜层包含80质量％以上的氧化锡。

13.根据权利要求7，8和12中任意一项所述的具有电路图案的玻璃基底，其对于从具有所述电路图案的第一主表面侧入射的并且透射到第二主表面侧的可见光具有60％或者以上的可见光透光率。

14.一种等离子显示板，包括根据权利要求7-13中任意一项所述的具有电路图案的玻璃基底。