[发明专利]用于制造半导体装置的激光辐射设备和方法有效
申请号: | 200680048612.1 | 申请日: | 2006-12-13 |
公开(公告)号: | CN101346800A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 田中幸一郎;山本良明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/08;H01L21/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;刘宗杰 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体 装置 激光 辐射 设备 方法 | ||
1.一种激光辐射设备,包括:
激光振荡器;和
铰接的光束传播器,传播由所述激光振荡器产生的激光束,
其中所述铰接的光束传播器包括:
至少第一和第二铰接部分;
多个管道,其中所述管道中的第一管道的一端通过所述第一铰接部分连接到所述管道中的第二管道的一端,并且其中所述第一管道的另一端通过所述第二铰接部分连接到所述管道中的第三管道的一端;
所述激光束的至少第一和第二线路改变器,所述第一和第二线路改变器分别设置在所述第一和第二铰接部分中;和
包括在所述第一管道内的传递透镜,
其中所述传递透镜设置成使得插入所述传递透镜的所述第一和第二线路改变器相互共轭。
2.一种激光辐射设备,包括:
激光振荡器;和
铰接的光束传播器,传播由所述激光振荡器产生的激光束,
其中所述铰接的光束传播器包括:
第一、第二和第三管道;
连接到所述第一管道一端的第一铰接部分;
连接到所述第一管道另一端和所述第二管道端部的第二铰接部分;
所述激光束的第一和第二线路改变器,所述第一和第二线路改变器分别设置在所述第一和第二铰接部分中;
分别包括在所述第一和第二管道内的第一和第二传递透镜,
其中所述第二传递透镜设置成使得所述激光振荡器的发射口与所述第二线路改变器相互共轭,
其中所述第一传递透镜设置成使得插入所述第一传递透镜的所述第一和第二线路改变器相互共轭。
3.一种激光辐射设备,包括:
激光振荡器;和
铰接的光束传播器,传播由所述激光振荡器产生的激光束,
其中所述铰接的光束传播器包括:
第一、第二和第三管道;
连接到所述第一管道一端与第二管道端部的第一铰接部分;
连接到所述第一管道另一端和第三管道一端的第二铰接部分;
在所述第三管道的另一端提供的狭缝,所述激光束从所述狭缝射出;
所述激光束的第一和第二线路改变器,所述第一和第二线路改变器分别设置在所述第一和第二铰接部分中;和
分别位于所述第一与第二管道内的第一和第二传递透镜,
其中所述第二传递透镜设置成使得所述激光振荡器的发射口与所述第二线路改变器相互共轭,
其中所述第一传递透镜设置成使得插入所述第一传递透镜的所述第一和第二线路改变器相互共轭。
4.一种激光辐射设备,包括:
激光振荡器;和
铰接的光束传播器,传播由所述激光振荡器产生的激光束,
其中所述铰接的光束传播器包括:
第一、第二和第三管道;
连接到所述第一管道一端与第二管道端部的第一铰接部分;
连接到所述第一管道另一端和第三管道一端的第二铰接部分;
在所述第三管道的另一端提供的狭缝,所述激光束从所述狭缝射出;
所述激光束的第一和第二线路改变器,所述第一和第二线路改变器分别设置在所述第一和第二铰接部分中;和
第一和第二传递透镜,
设置在所述狭缝和被所述激光束辐射的表面之间的成像透镜,
其中所述第一传递透镜设置成使得插入所述第一传递透镜的第一和第二线路改变器相互共轭,
其中所述第二传递透镜设置成使得所述狭缝和所述被所述激光束辐射的表面相互共轭。
5.一种激光辐射设备,包括:
多个激光振荡器;和
多个铰接的光束传播器,每个铰接的光束传播器传播分别由每个激光振荡器产生的激光束,
其中所述多个铰接的光束传播器中的每一个光束传播器包括:
多个管道,其中所述管道中的第一管道的一端通过第一铰接部分连接到所述管道中的第二管道的一端,并且其中所述第一管道的另一端通过第二铰接部分连接到所述管道中的第三管道的一端;
分别位于所述第一和第二铰接部分中的第一和第二激光束线路改变器;和
包括在所述第一管道内的传递透镜,
其中所述传递透镜设置成使得插入所述传递透镜的所述第一和第二线路改变器相互共轭。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680048612.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:喷吸鼻装置
- 下一篇:一种治疗酒糟鼻的外用药
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造