[发明专利]采用用于离子注入系统的变角度狭槽阵列的离子束角度测量系统及方法

权利要求书

1.一种离子注入系统，包括：

产生离子束的离子源；

从离子源接收离子束和处理离子束的束流线组件，所述束流线组件包括质量分析器，所述质量分析器能够操作以在限定平面内偏转所述离子束；

从束流线组件接收离子束的角度测量系统，所述角度测量系统包括：

变角度狭槽阵列，其包括限定在结构中的各个狭槽，以及具有相关的接收角范围，其选择性地穿过具有相关接收角范围的仅仅一部分离子束，其中，狭槽中的至少两个具有不同的相关的接收角范围，并且其中所述狭槽设置在所述限定平面中；以及

与各个狭槽相关的电荷测量器件阵列，其测量穿过变角度狭槽阵列的部分离子束的电荷；以及

从束流线组件接收离子束的目标位置。

2.权利要求1所述的系统，进一步包括位于束流线组件下游的终端站，其在目标位置保持目标晶片。

3.权利要求2所述的系统，其中所述终端站进一步包括其上安装有角度测量系统结构的处理盘。

4.权利要求2所述的系统，其中所述终端站为单个晶片终端站。

5.权利要求1所述的系统，进一步包括控制器，所述控制器至少部分地根据穿过变角度狭槽阵列的部分离子束的测量出的电荷确定测量出的入射角。

6.权利要求1所述的系统，进一步包括控制器，其识别穿过变角度狭槽阵列的部分离子束的接收角范围，以及根据所述部分的测量出的电荷和识别出的接收角范围确定测量出的入射角值。

7.权利要求5所述的系统，其中，根据选定的入射角，束流线组件和/或离子源相对于目标位置调整离子束的入射角。

8.权利要求7所述的系统，其中，当测量出的入射角值不同于选定的入射角值，且差值大于阈值量时，控制器发送调整值给束流线组件。

10.权利要求5所述的系统，其中根据测量出的入射角调整在目标位置的晶片。

11.权利要求1所述的系统，其中，变角度狭槽阵列进一步包括具有凸起形状的入射表面和具有凹入形状的出射表面。

12.权利要求1所述的系统，其中，变角度狭槽阵列进一步包括具有凹入形状的入射表面和具有凸起形状的出射表面。

13.权利要求1所述的系统，其中，变角度狭槽阵列进一步包括具有大致平的形状的入射表面和具有大致平的形状的出射表面。

14.权利要求1所述的系统，进一步包括控制器，所述控制器至少部分地根据部分离子束的测量出的电荷确定角度内容。

15.权利要求14所述的系统，其中所述控制器使得束流线组件和/或离子源根据该角度内容调整离子束。

16.权利要求1所述的系统，其中，变角度狭槽阵列的结构进一步包括成对的在结构的入射表面上的入射开口和在结构出射表面上的出射开口，其中成对的入射开口和出射开口限定所述狭槽。

17.权利要求1所述的系统，其中，所述结构包括固体材料，所述固体材料具有形成在其中限定所述狭槽的多个开口。

18.一种用于测量离子束入射角的角度测量系统，其中所述离子束已经通过质量分析器处理，使得所述离子束已经在第一平面中偏转，所述系统包括：

变角度狭槽阵列，其包括限定在结构中的从入射表面到出射表面的狭槽，并具有各个接收角范围，其中，所述狭槽中的至少两个具有不同的接收角范围，并且其中所述狭槽设置在所述第一平面中；以及

电荷测量器件阵列，其位于变角度狭槽阵列的下游并与所述狭槽相关，其中，电荷测量器件测量穿过变角度狭槽阵列的狭槽的细光束的电荷。

19.权利要求18所述的系统，其中，电荷测量器件包括拾取传感器。

20.权利要求19所述的系统，其中所述系统进一步包括，位于变角度狭槽阵列和电荷测量器件之间的第二结构，细光束穿过其到电荷测量器件。

21.权利要求20所述的系统，其中，拾取传感器偏压于正值，而第二结构偏压于接地附近。

22.权利要求18所述的系统，其中，所述结构由导电材料构成并接地。