[发明专利]研磨用组合物、研磨方法及半导体集成电路用铜配线的制造方法

权利要求书

1.研磨用组合物，其特征在于，包含被中和的羧酸、氧化剂和水，所述羧酸的一部分为脂环族树脂酸，pH值在7.5～12的范围内。

2.如权利要求1所述的研磨用组合物，其特征在于，所述脂环族树脂酸为选自枞酸、枞酸的异构体、海松酸、海松酸的异构体、松香及它们的衍生物的至少1种羧酸。

3.如权利要求1或2所述的研磨用组合物，其特征在于，所述脂环族树脂酸被以碱性钾化合物、氨或有机胺中和。

4.如权利要求1所述的研磨用组合物，其特征在于，所述羧酸的其它部分包含选自以下的至少1种羧酸：具有2个以上的羧基的多元羧酸，以及具有选自含氮杂环基、氨基、羟基和巯基的至少1种基团及1个以上的羧基的羧酸。

5.如权利要求4所述的研磨用组合物，其特征在于，所述羧酸的其它部分包含至少1种该羧酸的同时，还包含具有碳数8以上的长链烃基和1个以上的羧基的总碳数在11以上的脂肪族羧酸。

6.如权利要求5所述的研磨用组合物，其特征在于，所述脂肪族羧酸是在长链烃基部分具有1个以上的不饱和基团的总碳数12～23的不饱和脂肪族羧酸。

7.如权利要求5所述的研磨用组合物，其特征在于，所述脂肪族羧酸是长链烃基部分的总碳数为11～17的饱和脂肪族羧酸。

8.如权利要求1所述的研磨用组合物，其特征在于，脂环族树脂酸相对于羧酸总量的比例为0.1～70质量％。

9.如权利要求5所述的研磨用组合物，其特征在于，所述脂肪族羧酸的含量相对于研磨用组合物的总量为0.001～0.5质量％。

10.如权利要求1所述的研磨用组合物，其特征在于，所述氧化剂为选自过氧化氢、过硫酸铵和过硫酸钾的至少1种氧化剂。

11.如权利要求1所述的研磨用组合物，其特征在于，还包含磨粒。

12.如权利要求1所述的研磨用组合物，其特征在于，相对于研磨用组合物，包含0.11～8质量％羧酸、0.1～5质量％氧化剂、90质量％以上水。

13.研磨用组合物，其特征在于，相对于研磨用组合物，包含0.01～2质量％脂环族树脂酸，0.1～5质量％选自以下的至少1种羧酸：具有2个以上的羧基的多元羧酸，以及具有选自含氮杂环基、氨基、羟基和巯基的至少1种基团及1个以上的羧基的羧酸，0～0.5质量％具有碳数10以上的长链烃基和1个以上的羧基的总碳数在11以上的脂肪族羧酸，0.1～5质量％氧化剂，90质量％以上水；所述脂环族树脂酸、羧酸和脂肪族羧酸被中和，研磨用组合物的pH在8.0～11的范围内。

14.研磨方法，其特征在于，使用权利要求1～13中的任一项所述的研磨用组合物，在研磨介以阻挡层设置于绝缘层上的铜层而交替地形成宽100μm的铜埋线和宽100μm的绝缘层的图案形成中，邻接铜埋线的阻挡层露出后，恰好用以该阻挡层露出前的铜的研磨速度研磨200nm该铜所需的时间研磨后的凹陷增加量在10nm以下，最终的凹陷量在20nm以下。

15.如权利要求14所述的研磨方法，其特征在于，所述阻挡层露出前的铜的研磨速度相对于所述阻挡层的研磨速度在100倍以上。

16.半导体集成电路表面的研磨方法，其特征在于，使用权利要求1～13中的任一项所述的研磨用组合物研磨形成于具有配线用的沟的表面的铜膜。

17.半导体集成电路用铜配线的制造方法，其特征在于，使用权利要求1～13中的任一项所述的研磨用组合物研磨形成于具有配线用的沟的表面的铜膜，从而形成铜配线。