[发明专利]膜形成组合物

权利要求书

1.一种膜形成组合物，其特征在于：其是在向硅晶片中扩散杂质时，构成用以部分防止所述杂质扩散的保护膜的膜形成组合物，其含有硅氧烷聚合化合物及含保护元素的化合物，所述保护元素与成为杂质扩散源的元素共价结合而使价电子达到8个，含所述保护元素的化合物在所述膜形成组合物中的浓度为5质量ppm以上2质量百分比以下。

2.如权利要求1所述的膜形成组合物，其特征在于：所述保护元素是镓和铝中的至少一种。

3.如权利要求1所述的膜形成组合物，其特征在于：所述保护元素是选自磷、钽、铌、砷和锑中的一种以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的膜形成组合物，其特征在于：含所述保护元素的化合物是含有所述保护元素的盐或烷氧化物。

5.一种保护膜，其特征在于：其是在硅晶片上涂敷如权利要求1～4中任一项所述的膜形成组合物，然后以400℃以上、900℃以下的温度进行焙烧而成的。

6.如权利要求5所述的保护膜，其特征在于：其膜厚为500以上。