[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置无效
申请号: | 200680049220.7 | 申请日: | 2006-09-06 |
公开(公告)号: | CN101346810A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 安松拓人 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法,该半导体装置在基板上依次具有 第一绝缘膜、半导体层和第二绝缘膜,该制造方法的特征在于,包括:
形成包括氢阻隔层的第一绝缘膜的工序;
在配置有第一绝缘膜的氢阻隔层的区域上形成半导体层的工序;
将半导体层暴露在氢等离子体或氢气中,使半导体层中含有氢的 工序;
至少在配置有半导体层的区域形成包括氢阻隔层的第二绝缘膜的 工序;
在半导体层中注入杂质的工序;和
通过氢阻隔层将半导体层的上下面和侧面包围,在350℃以下10 分钟以下的条件下兼进行半导体层的氢化退火和半导体层中注入的杂 质的活化的工序,其中
该基板为塑料基板。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
所述半导体装置在第二绝缘膜上具有栅电极。
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
所述半导体装置在第一绝缘膜下具有栅电极。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
所述半导体装置在第一绝缘膜下和第二绝缘膜上分别具有栅电 极。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
所述基板的热变形温度为400℃以下。
6.如权利要求2~4的任一项所述的半导体装置的制造方法,其 特征在于:
所述栅电极的热变形温度为400℃以下。
7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
所述第一绝缘膜和第二绝缘膜的氢阻隔层与半导体层的间隔不足 200nm。
8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
所述第一绝缘膜和第二绝缘膜的氢阻隔层由氮化硅膜构成。
9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
所述半导体层在上下配置有氮化硅膜,
该上下配置的各氮化硅膜的配置有电极的区域以外的膜厚为 20nm以上。
10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
所述第二绝缘膜的氢阻隔层还作为水分阻隔层起作用。
11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
所述半导体装置在第二绝缘膜上还具有层间绝缘膜,
该制造方法包括使用液状材料形成层间绝缘膜的工序。
12.一种半导体装置,其特征在于:
通过权利要求1~11的任一项所述的半导体装置的制造方法制造 而成。
13.一种显示装置,其特征在于,包括:
权利要求12所述的半导体装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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