[发明专利]使用半导体微影技术制备单电子电晶体的方法

权利要求书

1.一种使用半导体微影技术制备单电子晶体管的方法，其特征在于：包含以下步骤：

(a)在成型于基材阻剂上的纳米结构筒状细孔的顶部开口上，先以原子或分子态的封口材料堆积黏着该顶部开口，使该顶部开口的口径逐渐缩小，形成一比原顶部开口的口径还小的纳米缩小口；

(b)将基材固定在水平方向，再以气体分子或原子型态的镀源材料垂直正对于该纳米缩小口，使该镀源材料穿透该纳米缩小口后，直接在纳米结构筒状细孔的底部基材表面上，镀着形成一个与该纳米缩小口的口径尺度相同的浮栅纳米量子点；

(c)先令基材以纳米缩小口为中心向右倾斜一倾斜角度，且镀源材料输出方向不变，再次将该气体分子或原子型态的镀源材料穿透该纳米缩小口，即会在该浮栅纳米量子点的右侧位置的基材表面上，镀着出一漏极纳米量子点；

(d)再令基材以纳米缩小口为中心向左倾斜一倾斜角度，且镀源材料输出方向不变，再次将该气体分子或原子型态的镀源材料穿透该纳米缩小口，即会在该浮栅纳米量子点的左侧位置的基材表面上，镀着出一源极纳米量子点；

(e)以纳米缩小口的中心线作为轴心，并配合一倾斜角度而旋转一旋转角度，且镀源材料输出方向不变，再经由气体分子或原子型态的镀源材料穿透该纳米缩小口后，即会在该浮栅纳米量子点的前侧位置的基材表面上，镀着出一栅极纳米量子点；

(f)最后以溶剂洗涤或气体腐蚀的方式将基材阻剂上的纳米结构筒状细孔消除，即可在基材上制备出具有纳米尺度的浮栅纳米量子点、漏极纳米量子点、源极纳米量子点与栅极纳米量子点结构的单电子晶体管。

2.根据权利要求1所述的使用半导体微影技术制备单电子晶体管的方法，其特征在于：该步骤(c)中的倾斜角度、步骤(d)中的倾斜角度与步骤(e)中的倾斜角度三者之间，为相等或不相等。

3.根据权利要求1所述的使用半导体微影技术制备单电子晶体管的方法，其特征在于：该步骤(e)中的倾斜角度与旋转角度，是依浮栅纳米量子点与栅极纳米量子点两者之间的距离来设定。

4.根据权利要求1所述的使用半导体微影技术制备单电子晶体管的方法，其特征在于：该浮栅纳米量子点、漏极纳米量子点、源极纳米量子点与栅极纳米量子点的材质为半导体或金属材料。

5.根据权利要求1所述的使用半导体微影技术制备单电子晶体管的方法，其特征在于：在该步骤(c)、步骤(d)及步骤(e)中，逐渐加大各倾斜角度及旋转角度，来制备出具有浮栅纳米量子点、漏极纳米线、源极纳米线与栅极纳米线的单电子晶体管。