[发明专利]掩模坯料及光掩模有效
| 申请号： | 200680049390.5 | 申请日： | 2006-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101346664A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 三井胜;佐野道明 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/08 | 分类号： | G03F1/08;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 坯料 光掩模 | ||
1.一种用于制造FPD设备的掩模坯料，其在透光性基板上至少具有 灰色调掩模用半透光性膜，该灰色调掩模用半透光性膜具有调节透过量的 功能，其特征在于，
所述灰色调掩模用半透光性膜是膜厚在20～250埃的范围内的CrN膜 或MoSi4膜、或者膜厚在15～200埃的范围内的MoSi2膜，
所述灰色调掩模用半透光性膜在由超高压汞灯放射的至少从i线到g 线的波长带区域中，透过率的变动幅度在不足5％的范围。
2.一种用于制造FPD设备的掩模坯料，其在透光性基板上至少具有 灰色调掩模用半透光性膜，该灰色调掩模用半透光性膜具有调节透过量的 功能，其特征在于，
所述灰色调掩模用半透光性膜是膜厚在20～250埃的范围内的CrN膜 或MoSi4膜，
所述灰色调掩模用半透光性膜在波长330nm～470nm之间的波长带区 域中，透过率的变动幅度在不足10％的范围。
3.根据权利要求2所述的用于制造FPD设备的掩模坯料，其特征在 于，
所述灰色调掩模用半透光性膜是膜厚在20～250埃的范围内的CrN膜 时，
所述灰色调掩模用半透光性膜在波长330nm～470nm之间的波长带区 域中，透过率的变动幅度在不足5％的范围。
4.一种掩模坯料，其在透光性基板上至少具有半透光性膜，该半透 光性膜具有调节透过量的功能，其特征在于，
所述掩模坯料是在所述半透光性膜被图案化处理而成为光掩模后，在 制造设备时，利用包含多个波长的曝光光进行曝光处理的光掩模用的掩模 坯料，
所述半透光性膜是膜厚在20～250埃的范围内的CrN膜或MoSi4膜、 或者膜厚在15～200埃的范围内的MoSi2膜，
所述半透光性膜在由超高压汞灯放射的至少从i线到g线的波长带区 域中，透过率的变动幅度在不足5％的范围。
5.一种用于制造FPD设备的光掩模，其特征在于，
其使用权利要求1～3中所述的掩模坯料制造，且至少具有灰色调掩 模用半透光性膜图案。
6.一种光掩模，其特征在于，
其使用权利要求4所述的掩模坯料制造。
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