[发明专利]掩模坯料及光掩模有效
申请号: | 200680049390.5 | 申请日: | 2006-12-26 |
公开(公告)号: | CN101346664A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 三井胜;佐野道明 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 坯料 光掩模 | ||
1.一种用于制造FPD设备的掩模坯料,其在透光性基板上至少具有 灰色调掩模用半透光性膜,该灰色调掩模用半透光性膜具有调节透过量的 功能,其特征在于,
所述灰色调掩模用半透光性膜是膜厚在20~250埃的范围内的CrN膜 或MoSi4膜、或者膜厚在15~200埃的范围内的MoSi2膜,
所述灰色调掩模用半透光性膜在由超高压汞灯放射的至少从i线到g 线的波长带区域中,透过率的变动幅度在不足5%的范围。
2.一种用于制造FPD设备的掩模坯料,其在透光性基板上至少具有 灰色调掩模用半透光性膜,该灰色调掩模用半透光性膜具有调节透过量的 功能,其特征在于,
所述灰色调掩模用半透光性膜是膜厚在20~250埃的范围内的CrN膜 或MoSi4膜,
所述灰色调掩模用半透光性膜在波长330nm~470nm之间的波长带区 域中,透过率的变动幅度在不足10%的范围。
3.根据权利要求2所述的用于制造FPD设备的掩模坯料,其特征在 于,
所述灰色调掩模用半透光性膜是膜厚在20~250埃的范围内的CrN膜 时,
所述灰色调掩模用半透光性膜在波长330nm~470nm之间的波长带区 域中,透过率的变动幅度在不足5%的范围。
4.一种掩模坯料,其在透光性基板上至少具有半透光性膜,该半透 光性膜具有调节透过量的功能,其特征在于,
所述掩模坯料是在所述半透光性膜被图案化处理而成为光掩模后,在 制造设备时,利用包含多个波长的曝光光进行曝光处理的光掩模用的掩模 坯料,
所述半透光性膜是膜厚在20~250埃的范围内的CrN膜或MoSi4膜、 或者膜厚在15~200埃的范围内的MoSi2膜,
所述半透光性膜在由超高压汞灯放射的至少从i线到g线的波长带区 域中,透过率的变动幅度在不足5%的范围。
5.一种用于制造FPD设备的光掩模,其特征在于,
其使用权利要求1~3中所述的掩模坯料制造,且至少具有灰色调掩 模用半透光性膜图案。
6.一种光掩模,其特征在于,
其使用权利要求4所述的掩模坯料制造。
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