[发明专利]一种形成多层测试传感器的方法有效
申请号: | 200680049517.3 | 申请日: | 2006-12-21 |
公开(公告)号: | CN101410218A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | A·J·艾德尔布洛克 | 申请(专利权)人: | 拜尔保健有限公司 |
主分类号: | B23K26/36 | 分类号: | B23K26/36;C12Q1/00;G01N27/30 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 焦丽雅 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 形成 多层 测试 传感器 方法 | ||
发明领域
本发明通常涉及一种形成测试传感器的方法。更确切地,本发明通常涉及 一种形成适用于帮助测定分析物浓度的多层测试传感器的方法。
背景技术
体液中分析物的定量测定在某些生理学异常的诊断和保养中非常重要。例 如,在某些个体中应当监控乳酸盐、胆固醇和胆红素。特别地,糖尿病人常常 检测他们体液中的葡萄糖水平来调节他们饮食中葡萄糖的摄入是重要的。这种 测试的结果能够用来决定,如果需要的话,需要服用什么胰岛素或其它药物。 在一种类型的血糖测试系统中,用测试传感器来测试血样。
测试传感器包含与血糖反应的生物传感材料或试剂材料。一种类型的测试 传感器是包括基板和盖的多层测试传感器。在该多层测试传感器中基板被附接 到盖上。将基板附接到盖上的一种方法是层压。将基板和盖层压的过程经常有 高的、不希望出现的公差。换句话说,基板和盖的层压趋向于产生了并非那么 理想的变化(即+/-0.015in.)。当基板与盖的层压结构没有完全对准时,基板 和盖就被称为配准不良。
附图1a-c显示了现有技术中的基板和盖配准不良的一个实施例。附图1a 示出了传感器条10,它包括基板条20和盖条30。该基板条20包括多个激光器 切口22a-c,这些切口限定了其上的多条导线或导电印迹26a-d。这些导线或导 电印迹是电极的导线部分。为了更好地显示形成在基板条20上的激光器切口 22a-c,已经显示这些激光器切口22a-c在形成于盖条30中的各自的孔28上向 上延伸,尽管它们可以被盖条30部分地隐藏。另外,附图1a-c仅突出了将形 成导线或导电印迹的一部分的区域,而没有示出形成电极或测试传感器其它特 性的真实的切口。
附图1a中的盖条30形成了多个对准孔32a,b。将该盖条30层压到该基板 条20上。如附图1a中显示的,该盖条30和该基板条20的层压结构没有完全 对准(即配准不良)。附图1a中的盖条30和该基板条20的配准不良导致导线 26a-d具有不相等的宽度。这样,从该传感器条10形成的多个测试传感器就具 有宽度不相等的导线26a-d。
当该基板与该盖配准不良时,就会导致在测试传感器的导线与仪表或设备 之间出现导电问题。例如,配准不良可以导致测试传感器的导线与设备的触点 之间产生短路。如果发生短路,设备产生分析物浓度的错误读数或者不产生该 分析物浓度的任何读数。配准不良还可以导致由于导线面积不正确而产生分析 物浓度的错误读数。
因此,希望使用一种方法消除基板和盖的层压公差。
发明概述
根据一种方法,形成电化学多层测试传感器,该传感器包括基板,第二层 和反应层。该反应区域包括酶。该测试传感器适合用于仪表中并帮助测定分析 物的浓度。多个电极及其各自的导线被部分地限定在基板上。当在基板上部分 地限定出多个电极及它们各自的导线后,基板被附接到第二层上来限定反应区 域,在反应区域中,所述多个电极被完全限定。在将基板附接到第二层上后, 该测试传感器的基板上的多条导线被完全限定。
根据另一种方法,形成电化学多层测试传感器,该传感器包括基板,第二 层和反应层。该反应区域包括酶。该测试传感器适合用于仪表中并帮助测定分 析物的浓度。基板上的多个电极及其各自的导线通过激光器被部分地限定。在 部分地限定基板上的多个电极及其各自的导线后,该基板被附接到第二层上来 限定反应区域,在反应区域中,所述多个电极被完全限定。在将基板附接到第 二层上后,该测试传感器的基板上的多条导线被完全限定。该测试传感器从附 接的基板和第二层上被切下。
附图的简单描述
附图1a是现有技术中传感器条的俯视图,其中基板条和盖条配准不良。
附图1b是大体上沿现有技术的附图1a中的线1b-1b的剖面图。
附图1c是大体上沿现有技术的附图1a中的线1c-1c的剖面图。
附图2a是根据一个实施方案的包括盖的测试传感器的俯视图。
附图2b是没有盖的附图2a中的测试传感器的俯视图。
附图3是根据一个实施方案的基板条的俯视图。
附图4a是根据一个实施方案的被层压到盖条上的附图3中的基板条的俯视 图,其中基板条和盖条配准不良。
附图4b是大体上沿附图4a中的线4b-4b的剖面图。
附图4c是大体上沿附图4a中的线4c-4c的剖面图。
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