[发明专利]不同温度反应室无效
申请号: | 200680049632.0 | 申请日: | 2006-12-18 |
公开(公告)号: | CN101351578A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 杰安卢卡·瓦伦特;吉亚科莫·尼克劳·麦考利;丹尼罗·克里帕;弗兰科·佩雷蒂 | 申请(专利权)人: | LPE公司 |
主分类号: | C30B25/10 | 分类号: | C30B25/10;F27B14/06 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 意大利*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不同 温度 反应 | ||
1.一种反应室,其用于外延反应器,该反应室设置有限定内腔的壁,具体为下壁和上壁以及至少两个侧壁,其特征在于,所述下壁和所述上壁具有不同的构造和/或由不同材料制成。
2.根据权利要求1所述的反应室,其特征在于,当所述反应室处于工作状态时,所述下壁和/或所述上壁基本上水平。
3.根据权利要求1或2所述的反应室,其特征在于,当所述反应室处于工作状态时,所述侧壁基本上竖直。
4.根据权利要求1或2或3所述的反应室,其特征在于,由特别地为一个或者多个元件的形式的绝热材料全部地或者部分地从外部包围室壁。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的反应室,其特征在于,所述反应室的形状是基本上圆筒状,当所述反应室处于工作状态时,所述圆筒的轴线基本上水平。
6.根据权利要求5所述的反应室,其特征在于,沿所述圆筒的轴线布置所述内腔,并且所述内腔具有基本上矩形并且沿所述圆筒的轴线基本上一致的截面。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的反应室,其特征在于,所述下壁的形状是基本上空心半月状。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的反应室,其特征在于,所述上壁的形状是基本上板状。
9.根据权利要求1至7中的任一项所述的反应室,其特征在于,所述上壁的形状是基本上半月状。
10.根据权利要求1~9中的任一项所述的反应室,其特征在于,所述下壁具有第一腔,并且所述上壁具有第二腔,所述第一腔和所述第二腔特别地具有不同的尺寸。
11.根据权利要求1~10中的任一项所述的反应室,其特征在于,所述上壁的外周长和/或外周面积相应地比所述下壁的外周长和/或外周面积短/小。
12.根据权利要求1~11中的任一项所述的反应室,其特征在于,所述不同的构造和/或所述不同的材料使得所述下壁和所述上壁特别地通过感应被不同地加热。
13.根据权利要求12所述的反应室,其特征在于,所述不同的构造和/或所述不同的材料使得所述下壁特别地通过感应被加热到比所述上壁高的温度。
14.根据权利要求1~13中的任一项所述的反应室,其特征在于,所述下壁和/或所述上壁由石墨制成,并且至少在面对所述内腔的一侧上涂有SiC或者TaC或者NbC或者其合金的层。
15.一种用于加热外延反应器的反应室的方法,所述反应室设置有限定所述反应室的壁,其特征在于,对所述反应室的至少一个或者仅一个第一壁的加热少于对所述反应室的第二壁的加热。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于,对所述反应室的至少一个或者仅一个第一壁的加热少于对所述反应室的任何其它壁的加热。
17.根据权利要求15或16所述的方法,所述内腔具有基本上水平的下壁和基本上水平的上壁,所述下壁用于直接地或者间接地支撑基片和晶片,其特征在于,所述第一壁是所述上壁。
18.根据权利要求17所述的方法,其特征在于,所述第二壁是所述下壁。
19.根据权利要求15或16或17或18所述的方法,其特征在于,设置所述室壁用单一加热装置并且设置具有至少第一构造和第二构造的壁,所述第一构造和所述第二构造彼此不同之处在于:对所述第一构造的加热少于对所述第二构造的加热。
20.根据权利要求19所述的方法,其特征在于,所述加热装置是感应型。
21.根据权利要求15或16或17或18所述的方法,其特征在于,设置第一加热装置和第二加热装置,其中,所述第一加热装置用于加热至少或者仅所述第一壁,所述第二加热装置用于加热所述第二壁或者所述反应室的所有其它壁。
22.根据权利要求21所述的方法,其特征在于,所述加热装置是感应型。
23.根据权利要求21或22所述的方法,其特征在于,设置具有至少第一构造和第二构造的壁,所述第一构造和所述第二构造彼此不同之处特别在于:对所述第一构造的加热少于对所述第二构造的加热。
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