[发明专利]具有连接到高电势的降压晶体管的电路装置有效
| 申请号： | 200680049655.1 | 申请日： | 2006-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN101351963A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·胡贝尔;彼得·尼德迈尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/0412 | 分类号： | H03K17/0412 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高少蔚;李德山 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 接到 电势 降压 晶体管 电路 装置 | ||
1.一种用于驱动发光装置的电路装置，具有：
-开关元件(T1)，其参考电极能连接到直流电压源的正极(K1)，而 其工作电极能连接到发光装置(D5至D10)的第一接触端(K3)，并且该 开关元件具有控制电极；以及
-接触装置，发光装置(D5至D10)的第二接触端(K4)能借助于所 述接触装置连接到直流电压源的负极(K2)，
其特征在于，
-第一晶体管(Q1)用其参考电极连接到直流电压源的正极(K1)， 用其工作电极连接到开关元件(T1)的控制电极，以及用其控制电极通过 电容器(C3)连接到可外部驱动的信号接触端(K5)，以及
-第二晶体管(Q2)用其参考电极连接到接触装置，用其工作电极连 接到开关元件(T1)的控制电极，以及用其控制电极连接到可外部驱动的 信号接触端(K5)。
2.根据权利要求1所述的电路装置，其中开关元件(T1)由增强型 的p沟道功率MOS-FET晶体管构成。
3.根据权利要求1或者2所述的电路装置，其中第一和第二晶体管 (Q1，Q2)分别是场效应晶体管。
4.根据权利要求1或者2所述的电路装置，其中第一晶体管(Q1) 是pnp双极性晶体管。
5.根据权利要求1或者2所述的电路装置，其中第二晶体管(Q2) 是npn双极性晶体管。
6.根据权利要求1或者2所述的电路装置，其中在第二晶体管(Q2) 的输出电极与开关元件(T1)的控制电极之间连接有第一RC环节，而在 第二晶体管(Q2)的参考电极与接触装置之间连接有第二RC环节(R1， C4)。
7.根据权利要求1或者2所述的电路装置，其中在接触装置与发光 装置的第二接触端(K4)之间连接有一个或者多个分路电阻(R30，R31， R32)。
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