[发明专利]复合氧化物膜及其制造方法，复合体及其制造方法、介电材料、压电材料、电容器和电子设备

权利要求书

1.一种含有钛元素和钙元素的复合氧化物膜的制造方法，包括：

形成含有钛元素的金属氧化物膜的第一工序、和

使含有钙离子的溶液与该金属氧化物膜进行反应的第二工序。

2.如权利要求1所述的复合氧化物膜的制造方法，所述含有钙离子的溶液是pH为11以上的碱性溶液。

3.如权利要求1所述的复合氧化物膜的制造方法，所述第二工序中的含有钙离子的溶液为40℃以上。

4.如权利要求1所述的复合氧化物膜的制造方法，所述含有钙离子的溶液含有在大气压下或减压下通过蒸发、升华和/或热分解中的至少一种方法变成为气体的碱性化合物。

5.如权利要求4所述的复合氧化物膜的制造方法，所述碱性化合物为碱性有机化合物。

6.如权利要求5所述的复合氧化物膜的制造方法，所述碱性有机化合物为氢氧化四甲基铵。

7.一种复合氧化物膜，是采用权利要求1～6的任一项所述的制造方法得到的。

8.一种在基体表面具有含有钛元素和钙元素的复合氧化物层的复合体的制造方法，包括：

在基体表面形成含有钛元素的金属氧化物层的第一工序、和

使含有钙离子的溶液与该金属氧化物层进行反应的第二工序。

9.如权利要求8所述的复合体的制造方法，所述基体是由金属钛或含钛的合金制成的。

10.如权利要求8所述的复合体的制造方法，所述第一工序包括对所述基体表面进行阳极氧化的工序。

11.如权利要求8所述的复合体的制造方法，所述基体是厚度为5～300μm的箔。

12.如权利要求8所述的复合体的制造方法，所述基体是将平均粒径为0.1～20μm的粒子进行烧结而成的。

13.一种复合体，包含由金属钛或含钛的合金形成的层、和在该层的表面形成的复合氧化物膜，所述复合氧化物膜是采用权利要求1所述的制造方法得到的。

14.一种复合体，是采用权利要求8～12的任一项所述的制造方法得到的。

15.如权利要求13或14所述的复合体，所述复合氧化物膜含有钙钛矿型化合物。

16.一种介电材料，包含权利要求7所述的复合氧化物膜。

17.一种介电材料，包含权利要求13～15的任一项所述的复合体。

18.一种电容器，包含权利要求16或17所述的介电材料。

19.一种电子设备，具备权利要求18所述的电容器。

20.一种压电材料，包含权利要求7所述的复合氧化物膜。

21.一种压电材料，包含权利要求13～15的任一项所述的复合体。

22.一种压电元件，包含权利要求20或21所述的压电材料。

23.一种电子设备，具备权利要求22所述的压电元件。