[发明专利]Ⅲ族氮化物类发光装置

权利要求书

1.一种III族氮化物类发光二极管，该发光二极管包括：

基底；

n型氮化物类覆层，形成在基底上；

氮化物类有源层，形成在n型氮化物类覆层上；

p型氮化物类覆层，形成在氮化物类有源层上；

p型多层欧姆接触层，形成在p型氮化物类覆层上，并包含热分解氮化 物，其中，通过将氮(N)与从由镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、铟(In)和锡(Sn)组成 的组中选出的至少一种金属组分结合来获得热分解氮化物。

2.如权利要求1所述的III族氮化物类发光二极管，其中，为了改善相 对于p型氮化物类覆层的欧姆接触，p型多层欧姆接触层包含从由金属、基 于所述金属的合金/固溶体、导电氧化物、透明导电氧化物(TCO)、透明导电 氮化物(TCN)和透明导电氮氧化物(TCON)组成的组中选出的至少一种。

3.如权利要求2所述的III族氮化物类发光二极管，其中，金属、基于 所述金属的合金/固溶体、导电氧化物、透明导电氧化物(TCO)、透明导电氮 化物(TCN)和透明导电氮氧化物(TCON)如下：

金属：铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、金(Au)、铑(Rh)、钌(Ru)、铱(Ir)、银(Ag)、 锌(Zn)、镁(Mg)、铍(Be)、铜(Cu)、钴(Co)、锡(Sn)或稀土金属，

合金/固溶体：基于以上金属的合金/固溶体，

导电氧化物：镍氧化物(Ni-O)、铑氧化物(Rh-O)、钌氧化物(Ru-O)、铱氧 化物(Ir-O)、铜氧化物(Cu-O)、钴氧化物(Co-O)、钨氧化物(W-O)或钛氧化物 (Ti-O)，

TCO：氧化铟(In₂O₃)、氧化锡(SnO₂)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧 化镁(MgO)、氧化镉(CdO)、氧化镁锌(MgZnO)、氧化铟锌(InZnO)、氧化铟锡 (InSnO)、氧化铜铝(CuAlO₂)、氧化银(Ag₂O)、氧化镓(Ga₂O₃)、氧化锌锡 (ZnSnO)、氧化锌铟锡(ZITO)或与上述TCO结合的其它氧化物，

TCN：氮化钛(TiN)、氮化铬(CrN)、氮化钨(WN)、氮化钽(TaN)或氮化铌 (NbN)，

TCON：与氧(O)和氮(N)结合的铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、镉(Cd)、镓(Ga)、 铝(Al)、镁(Mg)、钛(Ti)、钼(Mo)、镍(Ni)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、 铑(Rh)、铱(Ir)、钌(Ru)和钯(Pd)中的至少一种。

4.如权利要求3所述的III族氮化物类发光二极管，其中，p型多层欧 姆接触层还包括形成在p型氮化物类覆层上的颗粒，所述颗粒包含金属、合 金、固溶体、导电氧化物、TCO、TCN、TCON和热分解氮化物中的至少一 种。

5.如权利要求4所述的III族氮化物类发光二极管，其中，基底包含绝 缘材料，在基底和n型氮化物类覆层之间顺序地堆叠低温成核层和氮化物类 缓冲层，在p型多层欧姆接触层上形成p型电极片，在n型氮化物类覆层上 形成n型电极片。

6.如权利要求4所述的III族氮化物类发光二极管，其中，基底包含导 电材料，在基底和n型氮化物类覆层之间顺序地堆叠低温成核层和氮化物类 缓冲层，在p型多层欧姆接触层上形成p型电极片，基底上形成n型电极片。

7.如权利要求1所述的III族氮化物类发光二极管，其中，p型多层欧 姆接触层包括形成在p型氮化物类覆层上的欧姆改性层和形成在在欧姆改性 层上的反射金属层。

8.如权利要求7所述的III族氮化物类发光二极管，其中，所述欧姆改 性层包含透明导电氮氧化物(TCON)和热分解氮化物中的任意一种。