[发明专利]从基片去除污染的方法和设备无效
申请号: | 200680050024.1 | 申请日: | 2006-12-08 |
公开(公告)号: | CN101351282A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 埃里克·M·弗里尔;约翰·M·德拉里奥斯;卡特里娜·米哈利钦科;迈克尔·拉夫金;米哈伊尔·科罗利克;弗雷德·C·雷德克;克林特·托马斯;约翰·帕克斯 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | B08B7/00 | 分类号: | B08B7/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;尚志峰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 去除 污染 方法 设备 | ||
1.一种用于从基片去除污染的方法,包括:
将清洁材料设在基片上,该清洁材料包括多种分散在液体媒介中的固体成分;
向多种固体成分中的一种固体成分施加力以使该固体成分接近该基片上存在的污染物,从而在该固体成分和该污染物之间建立机械连接以将该污染物与该固体成分联接在一起,其中该机械连接是由该污染物压印导致的该固体成分的变形而建立的;以及
移动该固体成分远离该基片,从而将与该固体成分机械连接在一起的污染物从该基片去除至该液体媒介中,其中在该液体媒介中该污染物保持与该固体成分的机械连接。
2.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,其中该多种固体成分悬浮分散在该液体媒介中。
3.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,其中该多种固体成分限定为避免损伤该基片,并且避免粘附于该基片。
4.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,其中该固体成分是晶体。
5.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,其中该固体成分是非晶体。
6.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,其中该固体成分是脂族酸、羧酸、聚合物、蜡、多肽或粘弹性材料之一。
7.根据权利要求6所述的用于从基片去除污染的方法,其中该蜡是石蜡。
8.根据权利要求6所述的用于从基片去除污染的方法,其中该聚合物是聚苯乙烯。
9.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,其中该固体成分形成为凝集、凝结、絮凝、凝聚或聚结之一。
10.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,其中该多种固体成分的一部分在该液体媒介内形成固体成分的网,其中通过固体成分的网传递的机械应力建立该固体成分和该污染物之间的机械连接。
11.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,其中该液体媒介是含水的。
12.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,其中该液体媒介是不含水的。
13.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,其中该固体成分和该污染物之间的机械连接是由粘附力和引力中的一个或多个建立的。
14.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,进一步包括:
改变该液体媒介的化学制剂以增强该固体成分和该污染物之间的机械连接。
15.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,进一步包括:
控制该清洁材料的温度以增强该固体成分和该污染物之间的机械连接。
16.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,进一步包括:
控制该清洁材料在该基片上的流率以控制该固体成分远离该基片的移动。
17.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,其中该基片是半导体晶片。
18.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,进一步包括:
控制该液体媒介的温度以能够在该基片上在该液体媒介内原位形成该多种固体成分。
19.根据权利要求1所述的用于从基片去除污染的方法,进一步包括:
向该液体媒介引入沉淀剂以在该液体媒介内形成该多种固体成分。
20.根据权利要求19所述的用于从基片去除污染的方法,其中在引入该沉淀剂之前,该固体成分溶解在该液体媒介内的溶剂内,该沉淀剂溶于该溶剂并且不溶于该固体成分。
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