[发明专利]容许线重叠点处电部件未对准的交叉杆阵列设计以及线寻址方法有效

专利信息
申请号: 200680050237.4 申请日: 2006-11-01
公开(公告)号: CN101351846A 公开(公告)日: 2009-01-21
发明(设计)人: W·吴;P·J·屈克斯;R·S·威廉斯 申请(专利权)人: 惠普开发有限公司
主分类号: G11C8/10 分类号: G11C8/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;陈景峻
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 容许 重叠 点处电 部件 对准 交叉 阵列 设计 以及 寻址 方法
【权利要求书】:

1.一种对接线和地址线的装置,该装置包括:

两个或更多个线(1501-1511)的第一层;

两个或更多个地址线(1512-1523)的第二层,所述第二层覆盖第 一层;

位于第一层和第二层之间的中间层(704,804);以及

在中间层内制造的两个或更多个冗余电部件图案(1400),使得 所述电部件图案中的一个或多个与第一和第二层对准;

其中第一层中的所述线(1501-1511)大致平行;第二层中的所述 地址线(1512-1523)大致平行;第二层中的所述地址线(1512-1523) 大致垂直于第一层中的所述线(1501-1511);第一层中的所述线 (1501-1511)具有周期性间距以及第二层中的所述地址线(1512-1523) 具有周期性间距。

2.根据权利要求1的装置,其中扩展所述两个或更多个线 (1501-1511)的第一层的区域所需的附加线的数目为:

ΔxP2]]>

其中Δx是最大对准误差;以及

P是线的周期性间距。

3.根据权利要求1的装置,其中所述两个或多个线(1501-1511) 能够是纳米级、亚微米级、微米级或更大尺寸的线,并且能够由导体 材料或半导体材料构成。

4.根据权利要求1的装置,其中地址线(1512-1523)能够是纳米 级、亚微米级、微米级或更大尺寸的线,并且能够由导体材料或半导 体材料构成。

5.一种用于寻址交叉杆阵列中的线的方法,该方法包括:

提供两个或更多个线(1501-1511)的第一层和两个或更多个地址 线(1512-1523)的第二层,所述第二层覆盖第一层;

确定使第一层中的线和第二层中的地址线互连的有限数量的冗余 电部件图案对准(1400),每个所述对准对应于一组地址(1526,1626, 1726,1826);

从地址组(1526,1626,1726,1826)中选择具有与两个或更多个 不同地址组的地址重叠的地址的地址组;以及

测试所述选择的地址组以确定能够用于寻址第一层中的线的地址 组;

其中第一层中的所述线(1501-1511)大致平行;第二层中的所述 地址线(1512-1523)大致平行;第二层中的所述地址线(1512-1523) 大致垂直于第一层中的所述线(1501-1511);第一层中的所述线 (1501-1511)具有周期性间距以及第二层中的所述地址线(1512-1523) 具有周期性间距。

6.根据权利要求5的方法,其中覆盖第一层(1501-1511)的第二 层(1512-1523)还包括大致垂直于第一层线定向的第二层线。

7.根据权利要求5的方法,其中第一层(1501-1511)和第二层 (1512-1523)还包括纳米级、亚微米级、微米级或更大尺寸的线,其 能够由导体材料或半导体材料构成。

8.根据权利要求5的方法,其中重叠地址组还包括:具有与其它 地址组中的地址的地址前缀匹配的地址前缀(1901)的地址以及具有 与其它地址组中的地址的地址后缀匹配的地址后缀(1902)的地址。

9.根据权利要求5的方法,其中测试特定地址组还包括:向对应 于特定地址组中的逻辑地址的第二层的地址线施加电压,并测量第一 层中相应线的电压。

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