[发明专利]非晶合金薄带、纳米晶软磁合金以及由纳米晶软磁合金组成的磁芯

权利要求书

1.一种非晶合金薄带，其中合金的原子％组成表示为Fe_100-a-b-c-dM_aSi_bB_cC_d，0＜a≤10，11.5≤b≤17，5≤c≤10，0.02＜d≤0.8，9≤a+b+c+d≤35，并且小于或等于3原子％的Fe被选自Cu、Au中的至少一种元素取代，以及含有的不可避免的杂质，所述M是至少选自元素Ti，V，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta和W中的一种，用SiO₂换算C浓度峰值距所述非晶合金表面2-20nm深。

2.如权利要求1所述的非晶合金薄带，其中Fe的总量的一部分被选自Co和Ni中的至少一种元素取代。

3.如权利要求1所述的非晶合金薄带，其中小于或等于Si和B总量50％的Si和B被Al、P、Ga、Ge和Be中的至少一种元素取代。

4.如权利要求1至3任一项所述的非晶合金薄带，其中小于或等于50％的M被Cr、Mn、Zn、As、Se、S、O、N、Sb、Sn、In、Cd、Ag、Bi、Mg、Re、铂系元素和稀土元素中的至少一种元素取代。

5.一种非晶合金薄带，其中合金的原子％组成表示为Fe_100-a-b-c-dM_aSi_bB_cC_d，0＜a≤10，0≤b≤20，2≤c≤20，0＜d≤2，9≤a+b+c+d≤35，以及含有的不可避免的杂质，所述M是至少选自元素Ti，V，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta和W中的一种，其以单辊法制造，在单辊法中通过在辊上喷射CO₂或燃烧CO气体以提高喷射熔融液的喷嘴尖头部分辊面周围的CO₂浓度的方法、或将单辊制造装置放入腔室中并在腔室中导入CO₂的方法，使得用SiO₂换算的C浓度峰值距所述非晶合金表面2-20nm深。

6.将权利要求1至5中任一项所述的非晶合金薄带进行热处理所形成的纳米晶软磁合金，其中至少一部分结构是由平均颗粒尺寸小于或等于50nm的晶粒组成的，且用SiO₂换算的C浓度峰值距所述合金表面2-20nm深。

7.包含权利要求6所述纳米晶软磁合金的磁芯。