[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有活性区域形成在基体层的多个第一区域、和设在该各个第一区域之间且形成有元件隔离区域的各个第二区域，其特征在于：

包括以下各个工序：

第一平坦化膜形成工序，在所述各个第二区域的至少一部分平坦区域以相等的厚度形成具有平坦表面的第一平坦化膜；

第二平坦化膜形成工序，在所述第一平坦化膜之间形成具有与所述第一平坦化膜的表面相接的平坦表面的第二平坦化膜；

剥离层形成工序，通过所述第一平坦化膜或所述第二平坦化膜将剥离用物质离子注入到所述基体层中来形成剥离层；以及

分离工序，沿着所述剥离层将所述基体层的一部分分离下来，

还包括：在所述第一区域形成栅电极的栅电极形成工序；

在所述第一平坦化膜形成工序中，使所述第一平坦化膜形成得高于或等于所述栅电极的表面高度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述第二平坦化膜形成工序中，至少在所述第一平坦化膜之间使第一绝缘膜形成得高于或等于所述第一平坦化膜的表面高度，再以所述第一平坦化膜为阻挡膜研磨去除所述第一绝缘膜的一部分，这样来进行平坦化，以使所述第一绝缘膜的表面与所述第一平坦化膜的表面相接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述第一平坦化膜形成工序中，在所述第一区域与第二区域形成第二绝缘膜之后，再至少从所述第一区域将所述第二绝缘膜去除，而在所述第二区域的至少一部分残留下所述第二绝缘膜，让所述第一平坦化膜形成为含有残留在所述第二区域的第二绝缘膜的状态。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述第一平坦化膜工序中，形成所述第二绝缘膜来作为所述第一平坦化膜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述第二绝缘膜是氮化硅膜；

所述第一绝缘膜是氧化硅膜。

6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述元件隔离区域形成有元件隔离用绝缘膜；

所述第二绝缘膜由与所述元件隔离周绝缘膜一样的材质形成；

在所述第一平坦化膜形成工序中，让材质与所述第二绝缘膜不同的第三绝缘膜沉积在残留在所述第二区域的第二绝缘膜上，来形成所述第二绝缘膜与所述第三绝缘膜作为第一平坦化膜。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述第一绝缘膜与第二绝缘膜是氧化硅膜；

所述第三绝缘膜是氮化硅膜。

8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

包括：隔着绝缘膜将基板贴到所述第一平坦化膜与第二平坦化膜上的贴合工序；

所述贴合工序在所述分离工序之前进行。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述基板是玻璃基板或硅基板。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述基体层，是硅层、碳化硅层、硅锗层、锗层、氮化钾层、钾砷层、铟磷层、LiNbO₂层、LaAlO₃层以及SrTiO₃层中的一种层。

11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述剥离用物质是氢和惰性元素中的至少一种元素。

12.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述第二平坦化膜形成工序中，利用化学机械研磨法将所述第一绝缘膜平坦化。

13.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在所述第一区域形成有金属氧化物半导体晶体管。