[发明专利]发光缝隙波导器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

一个形成共振腔的缝隙波导，其中该缝隙波导还包括：

一个第一材料和一个第二材料，它们具有相对较高的折射率；

一个形成于第一材料和第二材料之间的缝隙，该缝隙包含场致发光材料，以及具有相对较低的折射率；以及

电极，被电耦接以将电流注入场致发光材料。

2.根据权利要求1的发光器件，其中缝隙波导被形成为一个环形共振腔。

3.根据权利要求1的发光器件，其中缝隙波导被形成为一个具有中间部分的共振腔，在该共振腔中间部分的两边上形成有分布式布拉格反射器。

4.根据权利要求1的发光器件，其中所述电极各自包括放置于缝隙波导对立边上的阳极和阴极。

5.根据权利要求4的发光器件，其中施加在阳极和阴极之间的电压激发包含缝隙的场致发光材料，以产生光。

6.根据权利要求1的发光器件，其中场致发光材料包括铒。

7.根据权利要求1的发光器件，其中场致发光材料包括铽或镱。

8.根据权利要求1的发光器件，其中场致发光材料包括稀土离子。

9.根据权利要求1的发光器件，其中所述第一材料包括一个第一材料层，所述第二材料包括一个第二材料层。

10.根据权利要求9的发光器件，其中电极包括：

一个耦接到第一材料层的导电性掺杂的阳极板；以及

一个耦接到第二材料层的导电性掺杂的阴极板。

11.根据权利要求10的发光器件，其中该缝隙与第一和第二材料层是共面的硅盘。

12.根据权利要求10的发光器件，其中该缝隙与第一和第二材料层是共面的硅环。

13.根据权利要求10的发光器件，其中该缝隙与第一和第二材料层是叠层。

14.根据权利要求10的发光器件，其中第一和第二材料层包括掺杂了p的硅，以及该电极包括掺杂了p+的硅。

15.根据权利要求10的发光器件，其中第一材料层包括基本未掺杂的硅，该缝隙包括掺杂了铒的二氧化硅，以及第二材料层包括掺杂了n+的多晶硅。

16.根据权利要求15的发光器件，其中阳极板包括形成于与该缝隙分开放置的第一材料层中的掺杂p++的硅，以及阴极包括被第二材料层支撑的掺杂了n++的硅。

17.根据权利要求16的发光器件，其中电极包括环。

18.根据权利要求9的发光器件，还包括光学耦接到缝隙波导的输出波导。

19.一种发光器件，包括：

一个形成共振腔的缝隙波导，其中该缝隙波导还包括：

一个由硅形成的第一和第二材料；

一个形成于第一和第二材料之间的缝隙，该缝隙包含掺杂有稀土离子的二氧化硅；以及

用于使电流注入掺杂有稀土离子的二氧化硅的装置。

20.根据权利要求19的发光器件，其中稀土离子选自由铒、铽和镱组成的组。

21.根据权利要求19的发光器件，其中用于使电流注入的装置包括一个和缝隙波导分开放置的阳极，以及一个阴极。

22.根据权利要求21的发光器件，其中所述阴极与缝隙波导分开放置。