[发明专利]用于固化电介质膜的多步系统和方法

权利要求书

1.一种处理衬底上的电介质膜的处理系统，包括：

干燥系统，被配置成进行干燥工艺以减少所述电介质膜中或所述电介 质膜上的污染物的量；

与所述干燥系统耦合的固化系统，被配置成进行固化工艺，所述固化 系统包括：

紫外(UV)辐射源，被配置成将所述电介质膜暴露于UV辐射； 和

红外(IR)辐射源，被配置成将所述电介质膜暴露于IR辐射；以 及

与所述干燥系统和所述固化系统耦合的转移系统，被配置成在真空条 件下在所述干燥系统与所述固化系统之间交换所述衬底。

2.如权利要求1的处理系统，其中所述IR辐射源包括约1-25微米的 IR波段源。

3.如权利要求1的处理系统，其中所述IR辐射源包括约8-14微米的 IR波段源。

4.如权利要求1的处理系统，其中所述UV辐射源包括约100-600纳 米的UV波段源。

5.如权利要求1的处理系统，其中所述UV辐射源包括约200-400纳 米的UV波段源。

6.如权利要求1的处理系统，其中所述IR辐射源包括宽波段辐射 源、或窄波段辐射源，或其组合。

7.如权利要求1的处理系统，其中所述IR辐射源包括一个或更多个 IR灯、或一个或更多个IR激光器，或其组合。

8.如权利要求1的处理系统，其中所述UV辐射源包括宽波段辐射 源、或窄波段辐射源，或其组合。

9.如权利要求1的处理系统，其中所述UV辐射源包括一个或更多个 UV灯、或一个或更多个UV激光器，或其组合。

10.如权利要求1的处理系统，其中所述干燥系统包括：

干燥室，被配置成用于促进所述干燥工艺；

与所述干燥室耦合的衬底支架，被配置成在所述干燥室中支撑所述衬 底；和

与所述干燥室耦合的热处理装置和/或微波处理装置，被配置成用于干 燥所述衬底上的所述电介质膜。

11.如权利要求10的处理系统，其中所述热处理装置包括与所述衬底 支架耦合的温度控制元件。

12.如权利要求11的处理系统，其中所述温度控制元件包括电阻加热 元件。

13.如权利要求10的处理系统，其中所述热处理装置被配置成用于将 所述衬底的温度升至约200-400℃。

14.如权利要求10的处理系统，其中所述微波处理装置包括与所述干 燥室耦合的变频微波源。

15.如权利要求10的处理系统，其中所述干燥室包括被配置成用于向 所述干燥室供给净化气体的气体注射系统。

16.如权利要求15的处理系统，其中所述气体注射系统被配置成向所 述干燥室供给稀有气体或氮气。

17.如权利要求1的处理系统，其中所述固化系统还包括：

固化室，被配置成用于促进所述固化工艺；

与所述固化室耦合的衬底支架，被配置成在所述固化室中支撑所述衬 底；和

与所述固化室耦合的温度控制系统，被配置成用于加热所述衬底上的 所述电介质膜。

18.如权利要求17的处理系统，其中所述温度控制系统包括与所述衬 底支架耦合的温度控制元件。

19.如权利要求18的处理系统，其中所述温度控制元件包括电阻加热 元件。

20.如权利要求17的处理系统，其中所述温度控制元件被配置成用于 将所述衬底的温度升至约200-400℃。

21.如权利要求1的处理系统，还包括：

与所述转移系统耦合的后处理系统，被配置成在所述固化工艺之后处 理所述电介质膜。