[发明专利]快速傅立叶处理寻呼信息的方法和设备有效
申请号: | 200680050795.0 | 申请日: | 2006-12-22 |
公开(公告)号: | CN101356648A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | B·林多夫;T·奥尔森;B·伯恩哈德森 | 申请(专利权)人: | 艾利森电话股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/26 | 分类号: | H01L27/26;H04Q7/38 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;张志醒 |
地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速 傅立叶 处理 寻呼 信息 方法 设备 | ||
技术领域
本发明主要涉及通信系统,更具体的,涉及适于使用正交频分复用 (OFDM)调制技术的无线通信系统。
背景技术
不断发展的移动蜂窝标准例如全球移动通信系统(GSM)和宽带码分多址 (WCDMA)将可能需要例如OFDM这样的调制技术来传送更高的数据率。 OFDM是一种将可用带宽分割成一系列称为载波的频率来复用信号的方法。由 于其符号持续时间要长于例如CDMA和TDMA这样的单载波调制技术中的符 号持续时间,OFDM在某种程度上不易受到内部符号干扰(ISI)的影响。为进 一步减小ISI,在OFDM符号上附加了保护周期。该保护周期可以由OFDM符 号的循环前缀组成。在OFDM中引入循环前缀使OFDM强健对抗延迟扩展并 且促进相对较高的数据率。
为了确保从现有的蜂窝系统向使用现有无线频谱的高容量高数据速率系统 的平滑迁移,新系统必须能够在弹性带宽(BW)上操作。超级三代技术(S3G) 已经被提出作为新的弹性蜂窝系统。S3G有意于作为只支持分组数据服务的3G WCDMA标准的演变。S3G将可能使用OFDM,并且在从1.25MHz到20MHz 范围的BW上操作。在高带宽S3G服务中数据率高达100Mb/s将成为可能。为 了达到如此高的数据速率,等待时间或往返时间(RTT)必须低于10毫秒(ms)。 RTT是数据分组跨越网络传送确认返回到发射机所花费的时间。因而,期望传 输时间间隔(TTI)(其是编码块(coded block)的长度)约为0.5ms。
S3G的灵活性,短的RTT,和高的数据率将为移动终端设计带来额外的复 杂度。例如,必须快速出现分组寻呼(paging)检测以便具有电源高效移动终端 的实现,这适于在接通状态和休眠状态之间快速切换。换句话说,用户设备(UE) 必须设计成具有低占空因数(duty cycle),甚至在0.5msTTI的情况下。占空因 数是指无线电开启的相对时间量。低的占空因数意味着无线电被接通的持续时 间低于其被关断的持续时间。
图1示出了TTI为0.5ms的建议的S3G。每个TTI的时间持续总是相同的, 但OFDM符号的数目可以根据循环前缀的大小在6-8之间变化。在需要大的 循环前缀的小区中,与具有小延迟扩展的小区相比,有较少的OFDM符号。如 图1所示,该OFDM符号包括寻呼信息101,其他控制信号102例如广播和同 步信息,以及数据103。该寻呼信息101被合并在第一个OFDM符号中。由于 基于20MHz的带宽、1200个载波和16正交幅度调制(QAM)下,寻呼信息 101典型地包含10-100个比特,并且每个OFDM符号包括4800个比特,仅仅 第一符号的很小部分包括寻呼信息。为了具有某种频率分集,可将寻呼信息扩 展到例如1MHz。这个带宽相比总的带宽例如高达20MHz来说,还是小的多。
在传统的寻呼检测方法中,寻呼信息首先发送到UE,然后发送非寻呼数 据。为了尽可能地在终端或UE上节省能源,UE中的无线电和基带处理器在不 需要的时候应当关闭。在宽BW、高数据率的S3G实现中需要更有效地检测寻 呼信息的方法和设备。这种方法和设备将同时发送寻呼信息和非寻呼数据。这 种方法和设备将降低占空因数并因此减少UE的电源消耗。
发明内容
本发明包括在通信系统中快速傅立叶处理寻呼信息的方法和相应的设备。 本发明的方法包括接收模拟信号。该模拟信号然后转换成第一数字信号并经由 具有第一带宽(BWA)的第一滤波器进行数字滤波从而获得第二数字信号。该 第二数字信号存储在缓冲器中。第一数字信号还通过具有第二带宽(BWB)的 第二滤波器进行数字滤波从而获得第三数字信号。对该第三数字信号开始FFTM处理,并同时对该第二数字信号开始FFTN处理。然后解码该FFTM处理过的第三 数字信号;和根据该FFTM处理过的第三数字信号的解码,确定是否完成对来自 缓存器的该第二数字信号的FFTN处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的