[发明专利]用于可编程逻辑器件集成电路的具有升高输出电压的易失性存储元件有效

专利信息
申请号: 200680050800.8 申请日: 2006-11-10
公开(公告)号: CN101529374A 公开(公告)日: 2009-09-09
发明(设计)人: 刘令时;M·T·陈 申请(专利权)人: 阿尔特拉公司
主分类号: G06F7/38 分类号: G06F7/38;G11C11/00;G11C5/14
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 赵蓉民
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 可编程 逻辑 器件 集成电路 具有 升高 输出 电压 易失性 存储 元件
【权利要求书】:

1.一种集成电路,其包括:

电力调节器电路,其在正常操作期间所用的较高电平和数据加载 操作期间所用的较低电平之间改变时变供电电平;

以所述时变供电电平供电的存储元件阵列,其中当所述时变供电 电平为所述较高电平时,至少一些被加载的存储元件提供处于所述较 高电平的输出信号;和

数据加载电路,该数据加载电路在所述时变供电电平处于所述较 低电平时加载数据到所述存储元件中,其中每个所述存储元件包括交 叉耦合的反相器,所述反相器具有串联在供电端和接地端之间的p沟道 晶体管和n沟道晶体管,在所述供电端处提供来自所述电力调节器电路 的所述时变供电电平。

2.根据权利要求1所述的集成电路,还包括具有栅极的n沟道金属 氧化物半导体传输晶体管,其中来自至少一些所述被加载的存储元件 的所述输出信号被提供给所述栅极。

3.根据权利要求1所述的集成电路,其中每个所述存储元件包括由 地址线控制的n沟道金属氧化物半导体地址晶体管。

4.根据权利要求1所述的集成电路,其中每个所述存储元件包括由 清除线控制的n沟道金属氧化物半导体清除晶体管。

5.根据权利要求1所述的集成电路,还包括可编程逻辑电路,其由 所述输出信号控制且以低于所述较高电平的第二供电电平供电。

6.根据权利要求5所述的集成电路,其中所述数据包括配置数据, 所述集成电路还包括所述数据加载电路中的寄存器,这些寄存器串行 地接收所述配置数据且将所述配置数据并行地提供给所述存储元件。

7.根据权利要求5所述的集成电路,其中所述第二供电电平为正供 电电平。

8.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述集成电路包括可编程 逻辑器件集成电路。

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