[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有形成在半导体晶体衬底上的MOS晶体管，该半导体器件的制造方法的特征在于，包括：

第一杂质导入工序，向第一杂质区域导入第一杂质，其中，所述第一杂质区域构成所述MOS晶体管的源极及漏极区域的一部分，而且与所述MOS晶体管的沟道区域相邻；

第二杂质导入工序，向第二杂质区域导入第二杂质，所述第二杂质区域从所述第一杂质区域的底部向所述半导体晶体衬底的深度方向形成；

非晶态层形成工序，在所述半导体晶体衬底的表面形成包括所述第一杂质区域及所述第二杂质区域的非晶态层；

再结晶工序，通过热处理对所述非晶态层进行再结晶处理。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在开始发生固相外延现象的温度下，进行所述热处理。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：

第三杂质导入工序，向第三杂质区域导入所述第一杂质，其中，所述第三杂质区域构成所述MOS晶体管的源极及漏极区域的一部分，而且与所述第一杂质区域相邻，但比所述第一杂质区域更深；

第四杂质导入工序，向第四杂质区域导入所述第一杂质，其中，所述第四杂质区域构成所述MOS晶体管的源极及漏极区域的一部分，而且与所述第三杂质区域相邻，但比所述第三杂质区域更深。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第一杂质导入工序包括离子注入第一杂质的第一离子注入工序，

所述第二杂质导入工序包括离子注入第二杂质的第二离子注入工序，

所述非晶态层形成工序包括向半导体晶体衬底的表面离子注入原子或分子的工序。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：

形成所述MOS晶体管的栅电极的工序；

在所述栅电极的侧壁形成绝缘层的工序；而且，

所述第一离子注入工序及所述第二离子注入工序将所述栅电极及所述绝缘膜作为掩模进行离子注入。

6.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件具有MOS晶体管，该半导体器件的制造方法的特征在于，包括：

准备半导体晶体衬底的工序，所述半导体晶体衬底在使所述MOS晶体管绝缘分离的区域以及表面部分具有非晶态层；

第一离子注入工序，向第一杂质区域离子注入第一杂质，其中，所述第一杂质区域与所述MOS晶体管的沟道区域相邻，但比所述非晶态层更浅；

第二离子注入工序，向第二杂质区域离子注入第一杂质，其中，所述第二杂质区域与所述第一杂质区域连接，但比所述非晶态层更浅且比所述第一杂质区域更深；

第三离子注入工序，向第三杂质区域离子注入第二杂质，其中，所述第三杂质区域从所述第一杂质区域的底部向所述半导体晶体衬底的深度方向配置，而且位于所述非晶态层内；

再结晶工序，之后，通过热处理对所述非晶态层进行再结晶处理。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在开始发生固相外延现象的温度下，进行所述热处理。

8.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：

第三离子注入工序，向第五杂质区域离子注入所述第一杂质，其中，所述第五杂质区域构成所述MOS晶体管的源极及漏极区域的一部分，而且与所述第一杂质区域相邻，但比所述第一杂质区域更深；

第四离子注入工序，向第六杂质区域离子注入所述第一杂质，其中，所述第六杂质区域构成所述MOS晶体管的源极及漏极区域的一部分，而且与所述第五杂质区域相邻，但比所述第五杂质区域更深。