[发明专利]热处理系统、部件和方法

权利要求书

1.用于硅晶片的热处理装置，包括：

反射微波的室；

实质上透微波的室，其处于所述反射微波的室内；

实质上透微波的晶片架，其被容纳在所述透微波的室内，用于将多个硅晶片保持在垂直布置中，其中所述晶片架在该晶片架的第一和第二末端分别包括上部和下部挡板晶片，以促进各个相邻硅晶片的均匀温度梯度；以及

第一和第二标称5.8千兆赫的微波信号发生器，其被耦合，以经由位于所述反射微波的室的相对侧面上的第一和第二端口，将微波能引入所述反射微波的室中来加热所述多个硅晶片。

2.如权利要求1所述的装置，其中每个所述微波信号发生器是ISM相容的。

3.如权利要求1所述的装置，其中所述微波能具有5.8千兆赫+/-30兆赫的时变频率范围。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述晶片架包括至少两个环形构件和至少在所述两个环形构件之间垂直地延伸的垂直构件。

5.如权利要求1所述的装置：

其中所述反射微波的室具有至少一个大于所述微波能的波长的尺寸；以及

其中所述反射微波的室包括用于容纳和反射所述微波能的五个或更多个反射微波的垂直侧壁。

6.如权利要求1所述的装置，其中所述晶片架被配置成在垂直叠层中支撑并均匀地间隔开少25个晶片。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述透微波的室和所述晶片架主要由石英组成。

8.如权利要求1所述的装置，进一步包括再循环装置，所述再循环装置用于使流体从所述反射微波的室的较高的内部区域再循环到所述反射微波的室的较低的内部区域。

9.如权利要求1所述的装置，其中所述反射微波的室包括内表面，所述内表面包括铬化镀层的涂层。

10.如权利要求1所述的装置，进一步包括质量流量控制器和流体注射器，所述质量流量控制器用于耦合到流体源，所述流体注射器与所述质量流量控制器流体连通并位于所述透微波的室内。

11.如权利要求1所述的装置，包括气体注入装置，其用于将流体传送到位于所述反射微波的室内的所述实质上透微波的室中。

12.如权利要求1所述的装置，进一步包括用于将所述晶片架移到所述实质上透微波的室中并从所述实质上透微波的室中移出的装置。

13.如权利要求1所述的装置，其中所述晶片架主要由透微波的材料组成，并被配置成在垂直堆叠的布置中支撑至少50个晶片。