[发明专利]主电极及其形成方法

权利要求书

1.一种包括设置在基底上的主电极的系统，

所述主电极包括图案层，该图案层至少部分为绝缘材料并且该图案层具有设置有多个空腔的第一表面，所述空腔中设置有导电材料，该电极导电材料与至少一个电极电源接触器电连接；

所述基底包括上表面，该上表面与所述第一表面相接触或者与所述第一表面相邻地设置，并且该上表面具有设置在其上的导电材料或由导电材料构成的结构，该基底导电材料与至少一个基底电源接触器电连接；

由此形成多个由所述空腔、所述基底导电材料和所述电极导电材料限定的电化学室，该电化学室含有电解液；

其特征在于，对所述电极导电材料与所述电极电源接触器之间的电极电阻、以及所述基底导电材料与所述基底电源接触器之间的基底电阻进行调适，使得所述电极导电材料的比电导率平均为所述基底导电材料的比电导率的0.1-100倍。

2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述电极导电材料的比电导率平均为所述基底导电材料的比电导率的0.5-20倍。

3.根据权利要求1所述的系统，其中，所述电极导电材料的比电导率平均为所述基底导电材料的比电导率的1-10倍。

4.根据权利要求1所述的系统，其中，所述电极导电材料的比电导率平均为所述基底导电材料的比电导率的1-7倍。

5.根据权利要求1所述的系统，其中，在所述主电极的表面上，所述电极导电材料的比电导率被设置为多样化的。

6.根据权利要求5所述的系统，其中，所述电极导电材料的比电导率通过改变所述电极导电材料的厚度而被设置为多样化的。

7.根据权利要求5或6所述的系统，其中，所述电极导电材料的比电导率通过改变所述电极导电材料的电阻而被设置为多样化的。

8.根据权利要求7所述的系统，其中，所述电极导电材料为掺杂的半导体材料，该半导体材料的掺杂被设置为多样化的，以提供所述电极导电材料的电阻。

9.根据权利要求1、2、3、4、5、6或8所述的系统，其中，所述电极导电材料包括盘，该盘的大小与所述第一表面基本相同。

10.根据权利要求9所述的系统，其中，所述盘由导电材料和/或半导电材料制成。

11.根据权利要求9所述的系统，其中，所述电极导电材料包括设置在各个空腔的底部的空腔导电材料。

12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述空腔导电材料为设置在所述空腔的底部的材料并且为惰性材料。

13.根据权利要求12所述的系统，其中，所述空腔导电材料为预沉积在所述空腔中的与空腔材质不同的材料并且在电镀过程中被至少部分地消耗掉。

14.根据权利要求11、12或13所述的系统，其中，所述空腔导电材料与所述盘电接触。

15.根据权利要求14所述的系统，其中，所述盘的厚度基本不变。

16.根据权利要求9所述的系统，其中，所述电极电源接触器设置在所述盘的中部。

17.根据权利要求9所述的系统，其中，所述电极电源接触器包括几个不连续的接触器。

18.根据权利要求17所述的系统，其中，所述不连续的接触器包括至少一个设置在从所述盘的中心起的半径上的环形接触器或环形片段接触器。

19.根据权利要求17或18所述的系统，其中，每个不连续的接触器在电镀或蚀刻过程中被提供有特定的电压。

20.根据权利要求9所述的系统，其中，所述盘基本上为圆形。

21.根据权利要求1、2、3、4、5、6或8所述的系统，其中，所述基底电阻至少部分由种子层所提供，该种子层设置在基底上表面的至少一部分上。

22.根据权利要求21所述的系统，其中，所述基底电源接触器设置在所述基底种子层的周边的至少一部分上。

23.根据权利要求21所述的系统，其中，所述基底电源接触器沿着所述基底种子层的周边进行设置。

24.根据权利要求22或23所述的系统，其中，所述基底电源接触器包括几个不连续的接触器。