[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 200680051270.9 | 申请日: | 2006-01-17 |
公开(公告)号: | CN101361169A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 荒木浩之;德利宪太郎 | 申请(专利权)人: | 大日本网屏制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马少东;徐恕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法,用于处理代表半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field EmissionDisplay:场致发光显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板等的各种被处理基板。
背景技术
在半導体装置的制造工序中,进行向作为被处理基板的半导体晶片(以下仅称作“晶片”)的表面供给处理液(药液或者纯水)的处理。尤其是在用于清洗晶片的基板清洗装置中,供给用于对晶片的表面进行清洗处理的药液,此后供给纯水从而进行冲洗处理。因为在进行该冲洗处理之后的晶片的表面上附着有纯水,所以为了除去该纯水,进行使晶片高速旋转而将晶片表面的纯水甩掉的干燥处理。
为进行该干燥处理而使用的典型的基板干燥装置具备:旋转卡盘,其在将晶片保持为水平的状态下旋转;旋转驱动机构,其用于使该旋转卡盘高速旋转。通过该结构,利用伴随于旋转而使纯水运动的离心力甩掉纯水,实现基板的干燥。
专利文献1:JP特开平10-41270号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,例如在形成有所谓的Low-k膜(称为由介电常数小于氧化硅的材料构成的绝缘膜)的晶片等中,晶片表面呈疏水性。因此,向晶片表面供给纯水从而进行冲洗处理,若使旋转卡盘高速旋转,则晶片上的纯水的膜破裂而成为多个微小液滴,该多个微小液滴在晶片表面呈放射状移动。由此,在晶片表面上放射状地形成条状的颗粒。
该条状的颗粒是一种水印,与通常意义的颗粒(晶片表面的异物)不同。但是,用于计算晶片表面的颗粒数的颗粒计数器将这样的条状的颗粒不与通常的颗粒相区别也计数在内。
因此,出现抑制或者防止产生条状的颗粒的课题。
而本发明的目的是提供一种基板处理装置以及基板处理方法,通过从基板表面良好地排除冲洗液,抑制或者防止产生基板表面上的条状的颗粒。
用于解决问题的手段
一种基板处理装置,其特征在于,包含:基板保持机构,其以使基板的一侧表面朝向上方的姿势保持基板;冲洗液供给机构,其用于向该基板保持机构所保持的基板的所述一侧表面供给冲洗液;基板倾斜机构,其用于使所述基板保持机构所保持的基板从所述一侧表面沿着水平面的水平姿势以非旋转状态倾斜为所述一侧表面相对水平面以规定角度倾斜的倾斜姿势;基板干燥装置,其用于使所述基板保持机构所保持的基板的表面干燥,控制装置,其控制所述冲洗液供给机构以及所述基板倾斜机构,将通过所述基板保持机构而保持为水平的基板的所述一侧表面的一部分或者整个区域,用由所述冲洗液供给机构供给的冲洗液的液膜覆盖,此后,通过所述基板倾斜机构使所述基板倾斜。
一种基板处理装置,其特征在于,包含:基板保持机构,其能够将基板保持为近似水平;冲洗液供给机构,其用于向该基板保持机构所保持的基板的上表面上供给冲洗液;基板倾斜机构,其用于使所述基板保持机构所保持的基板从其上表面沿着水平面的水平姿势倾斜为该上表面相对水平面以规定角度倾斜的倾斜姿势;气刀机构,其向所述基板保持机构所保持的基板的上表面上喷附气体而在该基板的上表面上形成气体喷附区域,并且能够在该气体喷附区域向着一个方向扫描整个基板的上表面;冲洗液补给机构,其在所述基板的上表面上,向与所述气刀机构形成的气体喷附区域相比位于该气体喷附区域的扫描方向的下游一侧的区域供给冲洗液;基板干燥装置,其使所述基板保持机构所保持的基板的表面干燥;控制装置,其控制所述基板干燥装置、所述基板倾斜机构、所述冲洗液供给机构、所述气刀机构以及所述冲洗液补给机构,在通过所述冲洗液供给机构向所述基板的上表面供给冲洗液之后,利用所述基板倾斜机构使所述基板倾斜而使该基板保持为倾斜姿势,在所述气刀机构所形成的气体喷附区域中扫描所述倾斜姿势的基板的上表面的同时从所述冲洗液补给机构向该气体喷附区域的扫描方向的下游一侧的区域供给冲洗液,由此从基板的上表面排除冲洗液,此后,通过所述基板干燥装置使基板上的液体成分干燥。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造