[发明专利]使用具有非均匀厚度的电介质的存储器单元

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

衬底，具有沟道区域；

第一介电层，位于所述衬底上方，所述第一介电层具有比第二部分厚的第一部分，所述第一介电层的所述第一部分覆盖所述沟道区域的至少一部分；

电荷贮存层，位于所述第一介电层上方；

第二介电层，位于所述电荷贮存层上方，所述第二介电层具有比第二部分厚的第一部分，所述第二介电层的所述第一部分覆盖所述沟道区域的至少一部分；

栅极，位于所述第二介电层上方和所述沟道区域上方，所述栅极具有第一侧壁和第二侧壁；

第一侧壁氧化物和第二侧壁氧化物，位于所述第二介电层的边缘并且分别与所述栅极的全部第一侧壁和第二侧壁相邻，其中，所述栅极的第一侧壁位于所述第二介电层的所述第一部分上方；以及

侧壁隔层，与所述第一侧壁氧化物和所述第二侧壁氧化物相邻形成。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述第二介电层具有比所述第二部分厚的第三部分，所述第二介电层的所述第二部分覆盖所述沟道区域的至少一部分，其中，与所述第一侧壁相对的所述栅极的第二侧壁位于所述第二介电层的所述第二部分上方。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述第二介电层的所述第一部分与所述第二介电层的边缘相邻设置。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述第二介电层的所述第一部分比所述第二介电层的所述第二部分厚5到10埃。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述电荷贮存层包括离散的贮存元件。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述电荷贮存层包括氮化物。

7.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述第二介电层的所述第一部分下方的所述电荷贮存层的第一部分能够存储第一值。

8.根据权利要求7所述的存储器单元，其中，所述第二介电层的所述第二部分下方的所述电荷贮存层的第二部分能够存储第二值。

9.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述衬底进一步包括第一源/漏区域和第二源/漏区域，所述沟道区域位于所述第一和第二源/漏区域之间，其中，所述第一源/漏区域由第二存储器单元共享。

10.根据权利要求9所述的存储器单元，其中，所述第一和第二介电层的所述第一部分位于至少一部分所述第二源/漏区域上方。

11.根据权利要求1所述的存储器单元，其中，所述第二介电层包括氧化物。

12.一种存储器单元包括：

衬底，具有沟道区域；

第一介电层，位于所述衬底上方，所述第一介电层具有比第二部分厚的第一部分，并且所述第一部分覆盖所述沟道区域的至少一部分；

电荷贮存层，位于所述第一介电层上方；

第二介电层，位于所述电荷贮存层上方，所述第二介电层在其外边缘具有比第四部分厚的第三部分，所述第三部分覆盖所述沟道区域的至少一部分；

栅极，位于所述第二介电层上方和位于所述沟道区域上方，其中，所述栅极的第一侧壁在所述第一介电层的第一部分和所述第二介电层的第三部分上方对齐，所述栅极的第二侧壁在所述第一介电层的第二部分和所述第二介电层的第四部分上方对齐；

侧壁氧化物，与所述第二介电层连续并且与所述栅极横向相邻；以及

侧壁隔层，与所述侧壁氧化物相邻形成。

13.根据权利要求12所述的存储器单元，其中，所述第一介电层的所述第一部分与所述第一介电层的边缘相邻设置。

14.根据权利要求12所述的存储器单元，其中，所述第一部分比所述第二部分厚5到10埃。

15.根据权利要求12所述的存储器单元，其中，所述电荷贮存层包括离散的贮存元件。

16.根据权利要求12所述的存储器单元，其中，所述电荷贮存层包括氮化物。

17.根据权利要求12所述的存储器单元，其中，所述第一介电层的所述第一部分上方的所述电荷贮存层的第一部分能够存储第一值。

18.根据权利要求17所述的存储器单元，其中，所述第一介电层的所述第二部分上方的所述电荷贮存层的第二部分能够存储第二值。