[发明专利]巨磁阻的保护性导电层

权利要求书

1.一种结构，包括：

a)衬底；

b)位于该衬底表面上的第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层；

c)位于所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层表面上的多层巨磁阻元件，所述巨磁阻元件包括：

i)第一磁性敏感层；

ii)位于所述第一磁性敏感层表面上的非磁性敏感间隔层；以及

iii)位于所述间隔层表面上的第二磁性敏感层；以及

d)第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层，其中所述巨磁阻元件位于所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层与所述第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层之间，并与所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层与所述第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层中的每一个接触。

2.根据权利要求1的结构，其中所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层与所述第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层各自独立地包括难熔氮化物或难熔氧化物材料。

3.根据权利要求1的结构，其中所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层与所述第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层各自独立地包括氮化钽、氧化钽、氮化钛、氧化钛、钨化钛或它们的组合。

4.根据权利要求1的结构，其中所述第一磁性敏感层和所述第二磁性敏感层各自独立包括坡莫合金、镍、钴、铁、锰、铱或合金或它们的组合。

5.根据权利要求1的结构，其中所述第一磁性敏感层和所述第二磁性敏感层各自独立包括镍-锰合金、钴-铁合金、铜-铁合金、镍-铁合金、镍-铁-钴合金或它们的组合。

6.根据权利要求1的结构，其中所述非磁性敏感间隔层包括铜、氧化钴、铷、钼、氧化铝或它们的组合。

7.根据权利要求1的结构，其中所述巨磁阻元件包括至少一个附着到所述第一磁性敏感层和所述第二磁性敏感层中至少一个上的附加磁性敏感层，其中附加间隔层位于相邻磁性敏感层之间。

8.一种装置，包括：

a)衬底；

b)位于该衬底表面上的第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层；

c)位于所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层表面上的多层巨磁阻元件，所述巨磁阻元件包括：

i)第一磁性敏感层；

ii)位于所述第一磁性敏感层表面上的非磁性敏感间隔层；以及

iii)位于所述间隔层表面上的第二磁性敏感层；以及

d)第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层，其中所述巨磁阻元件位于所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层与所述第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层之间，并与所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层与所述第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层中的每一个接触；以及

e)连接至所述第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层的电路，所述电路响应于所述巨磁阻元件所检测到的磁场的变化。

9.根据权利要求8的装置，其中所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层与所述第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层各自独立地包括难熔氮化物或难熔氧化物材料。

10.根据权利要求8的装置，其中所述巨磁阻元件包括至少一个附着到所述第一磁性敏感层和所述第二磁性敏感层中至少一个上的附加磁性敏感层，其中附加间隔层位于相邻磁性敏感层之间。

11.根据权利要求8的装置，其中所述电路包括车辆元件。

12.用于形成结构的方法，其包括：

a)提供衬底；

b)在该衬底表面上形成第一非磁性、导电、抗腐蚀层；

c)在第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层的表面上形成多层巨磁阻元件，所述巨磁阻元件包括：

i)第一磁性敏感层；

ii)位于所述第一磁性敏感层表面上的非磁性敏感间隔层；以及

iii)位于所述间隔层表面上的第二磁性敏感层；以及

d)形成第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层，其中所述巨磁阻元件位于所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层与所述第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层之间，并与所述第一非磁性敏感、导电、抗腐蚀层与所述第二非磁性敏感、导电、抗腐蚀层中的每一个接触。