[发明专利]无引脚半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种制造封闭半导体单元片(40)的封装(50)的方法，其特 征在于以下步骤：

(a).提供导电框架(10)，其具有多个布置成矩阵形式的引脚 框架(14、14′)，每个引脚框架具有从中心孔向外延伸的多个间隔引 脚(16、16′)，所述导电框架(10)进一步具有多个连棒(24)，其 连接所述引脚框架(14、14′)中相邻各引脚框架的外端部分；

(b).在所述连棒(24)中形成凹槽(20)以便在所述引脚框架 (14、14′)的相邻各引脚框架的外端部分之间形成厚度减小的部分；

(c).将半导体单元片(40)电学耦合(42)到所述引脚(16、 16′)的内部部分(30)；

(d).用模塑料(46)密封所述框架(10)和半导体单元片(40)； 和

(e).沿着所述凹槽(20)切割(12)所述模塑料(46)和框架 (10)以便形成被切单的半导体封装(50)，其具有高度大于所述厚 度减小部分的高度的外引脚部分。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过化学蚀刻从所述框 架(10)的一侧形成所述凹槽(20)。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述凹槽(20)将所述 厚度减小的部分的厚度减小至所述框架(10)厚度的30％至70％。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于通过锯割切单执行所述 切割(12)步骤(e)。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于所述锯割切单步骤导致 所述外引脚部分的侧面部分构成所述半导体封装(50)的外周表面 (56)的一部分。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于所述外引脚部分的所述 侧面部分的高度等于所述框架(10)的高度。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于构成所述外周表面(56) 的所述侧面部分涂覆有金属以便提高焊料润湿性。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述框架(10)进一步 包括布置在所述中心孔中的单元片焊盘(23)并且所述半导体单元片 (40)被接合(36)到所述单元片焊盘(23)。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于所述化学蚀刻步骤进一 步在所述引脚(16、16′)和所述单元片焊盘(23)中的至少一个上形 成凸缘(32、34)。

10.如权利要求2所述的方法，其特征在于所述半导体单元片(40) 直接接合到所述引脚(16、16′)的内端部分(30)。

11.一种用于半导体封装(50)的导电框架(10)，其特征在于：

布置成矩阵形式的多个引脚框架(14、14′)，每个引脚框架(14， 14′)具有从中心孔向外延伸的多个间隔引脚(16、16′)；和

多个连棒(24)，其连接所述引脚框架(14、14′)的相邻各引 脚框架的外端部分，其中凹槽(20)延伸到每个所述连棒(24)中并 布置在每个所述引脚框架(14、14′)的相邻引脚(16、16′)之间。

12.如权利要求11所述的导电框架(10)，其特征在于位于所述 凹槽(20)下面的所述连棒(24)的一部分的厚度为所述导电框架(10) 的厚度的30％至70％。

13.如权利要求12所述的导电框架(10)，其特征进一步在于单 元片焊盘(23)布置在所述中心孔中。

14.如权利要求13所述的导电框架(10)，其特征在于所述单元 片焊盘(23)与所述引脚(16、16′)中的至少一个包括环绕其外周的 厚度减小的凸缘(32、34)。