[发明专利]表面声波压力传感器

权利要求书

1.一种同时产生多个SAW传感器的方法，所述方法包括以下步骤：

提供SAW晶片，所述SAW晶片包括设置于其上的多个SAW变换器；

提供覆盖晶片；

在所述SAW晶片与所述覆盖晶片之间提供防护壁；以及

将所述覆盖晶片固定到所述SAW晶片，使得所述防护壁环绕所述多个SAW变换器。

2.如权利要求1所述的方法，其中提供防护壁的步骤包括提供设置在所述覆盖晶片上的玻璃料防护壁。

3.如权利要求1所述的方法，还包括在所述SAW晶片与所述覆盖晶片之间提供多个凸轮廓的步骤，使得在所述覆盖晶片固定到所述SAW晶片时，所述多个凸轮廓中的至少一个环绕所述多个SAW变换器中的至少一个。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述防护壁限定所述SAW晶片与所述覆盖晶片之间的间隔。

5.如权利要求1所述的方法，其中提供SAW晶片的所述步骤包括提供石英SAW晶片。

6.如权利要求1所述的方法，其中提供覆盖晶片的所述步骤包括提供石英覆盖晶片。

7.如权利要求1所述的方法，还包括图案化所述SAW晶片的随后步骤。

8.如权利要求7所述的方法，其中图案化所述SAW晶片包括形成所述SAW晶片上的图案化金属层和所述覆盖晶片上的防护金属层。

9.如权利要求8所述的方法，其中图案化所述SAW晶片的所述步骤包括蚀刻所述SAW晶片的背面，以从所述SAW晶片形成压力感测隔膜。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述防护金属层和所述玻璃壁在蚀刻期间保护所述SAW晶片和所述覆盖晶片。

11.如权利要求9所述的方法，还包括随后的划片工艺。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述划片工艺包括：进行通过所述覆盖晶片而不切割所述SAW晶片的第一系列切割。

13.如权利要求12所述的方法，还包括进行通过所述覆盖晶片而不切割所述SAW晶片的第二系列切割，所述第二系列切割平行于所述第一系列切割。

14.如权利要求13所述的方法，还包括进行通过所述覆盖晶片和所述SAW晶片的第三系列切割，所述第三系列切割与所述第一系列切割和所述第二系列切割正交。

15.如权利要求14所述的方法，还包括进行通过所述覆盖晶片和所述SAW晶片的第四系列切割，所述第四系列切割正交于所述第三系列切割。

16.如权利要求3所述的方法，其中提供覆盖晶片的所述步骤包括在所述覆盖晶片中提供壁槽的附加步骤，并且在所述覆盖晶片上提供防护壁的所述步骤包括在所述壁槽中提供玻璃料。

17.如权利要求16所述的方法，其中提供覆盖晶片的所述步骤另外包括在所述覆盖晶片中提供多个轮廓槽，并且提供多个凸轮廓的所述步骤包括提供至少部分地设置在所述多个轮廓槽内的多个凸轮廓。

18.一种石英栈，包括：

石英SAW晶片，在所述石英SAW晶片表面上形成多个SAW变换器；

与所述石英SAW晶片相邻设置的石英覆盖晶片；

在所述石英SAW晶片和所述石英覆盖晶片之间设置的玻璃料壁，所述玻璃料壁环绕所述多个SAW变换器；以及

在所述石英SAW晶片和所述石英覆盖晶片之间设置的多个玻璃轮廓，所述多个玻璃轮廓中的至少一个环绕所述多个SAW变换器中的至少一个。

19.如权利要求18所述的石英栈，其中所述多个玻璃轮廓中的所述至少一个是矩形玻璃料轮廓。

20.如权利要求18所述的石英栈，其中所述玻璃料壁具有高度，并且所述高度限定了所述石英SAW晶片与所述石英覆盖晶片之间的间距。

21.如权利要求18所述的石英栈，其中所述玻璃料壁具有高度，并且所述高度大于所述石英SAW晶片与所述石英覆盖晶片之间的间距。

22.如权利要求18所述的石英栈，其中所述石英覆盖晶片包括壁槽，并且所述玻璃料壁至少部分地设置在所述壁槽内。